[发明专利]用于微电子装置中接合的掺杂4N铜线

权利要求书

1.一种用于微电子学中接合的掺杂4N铜线，其包含Ag、Ni、Pd、Au、Pt和Cr的群组中的一者或一者以上作为耐腐蚀性掺杂材料，其中所述耐腐蚀性掺杂材料的浓度在约10wt.ppm与约80wt.ppm之间。 

2.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约10wt.ppm到约80wt.ppm的Ag。 

3.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约10wt.ppm到约80wt.ppm的Ni。 

4.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约10wt.ppm到约80wt.ppm的Au。 

5.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约10wt.ppm到约80wt.ppm的Cr。 

6.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约10wt.ppm到约40wt.ppm的Ag和约10wt.ppm到约40wt.ppm的Ni。 

7.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约10wt.ppm到约40wt.ppm的Ag和约10wt.ppm到约40wt.ppm的Cr。 

8.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约5wt.ppm到约30wt.ppm的Ag、约5wt.ppm到约25wt.ppm的Ni和约5wt.ppm到约25wt.ppm的Pd。 

9.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约5wt.ppm到约10wt.ppm的Ag、约5wt.ppm到约10wt.ppm的Ni和约5wt.ppm到约10wt.ppm的Pd。 

10.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约5wt.ppm到约25wt.ppm的Ag、约5wt.ppm到约25wt.ppm的Ni和约5wt.ppm到约15wt.ppm的Pd。 

11.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约5wt.ppm到约35wt.ppm的Ag、约5wt.ppm到约10wt.ppm的Ni和约5wt.ppm到约10wt.ppm的Pd。 

12.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约5wt.ppm到约30wt.ppm的Ag和约5wt.ppm到约30wt.ppm的Ni。 

13.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约5wt.ppm到约30wt.ppm的Ag和约5wt.ppm到约30wt.ppm的Pd。 

14.根据权利要求12所述的掺杂4N铜线，其进一步包含约5wt.ppm到约20wt.ppm的B。 

15.根据权利要求13所述的掺杂4N铜线，其进一步包含约5wt.ppm到约20wt.ppm的B。 

16.根据权利要求1到15中任一权利要求所述的掺杂4N铜线，其进一步包含约1wt.ppm到约3wt.ppm的S。 

17.一种用于微电子学中接合的掺杂4N铜线，其由以下组成： 

4N铜； 

Ag、Ni、Pd、Au、Pt和Cr的群组中的一者或一者以上，作为耐腐蚀性掺杂材料，其中所述耐腐蚀性掺杂材料的浓度在约10wt.ppm与约80wt.ppm之间，和 

可能或可能不存在的另一种组分，所述另一种组分选自B和S中的一者或一者以上。 

18.根据权利要求17所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料是约10wt.ppm 到约80wt.ppm的Ag。 

19.根据权利要求17所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料是约10wt.ppm到约80wt.ppm的Ni。 

20.根据权利要求17所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料是约10wt.ppm到约80wt.ppm的Au。