[发明专利]制造谐振式传感器的方法

权利要求书

1.一种制造具有振动梁的谐振式传感器的方法，所述方法包括：

（a）提供SOI衬底（101），所述SOI衬底包括：第一硅层；在所述第一硅层上的氧化硅层；以及在所述氧化硅层上的第二硅层；

（b）通过使用所述氧化硅层作为蚀刻阻挡层来蚀刻所述第二硅层，来形成穿过所述第二硅层的第一间隙（37）和第二间隙（38）；

（c）在所述第二硅层上形成杂质扩散源层（401），其中所述杂质扩散源层配置成将杂质扩散至所述第二硅层中；

（d）通过针对所述SOI衬底进行热处理对来自所述杂质扩散源层的杂质进行扩散来在所述第二硅层的表面部分中形成杂质扩散层（402）；

（e）通过蚀刻去除所述杂质扩散源层；以及

（f）通过蚀刻来去除所述氧化硅层的至少一部分，以便在所述第一硅层与所述第二硅层的由所述第一间隙和所述第二间隙围绕的区域之间形成空气间隙，其中所述第二硅层的由所述第一间隙和所述第二间隙围绕的所述区域用作所述振动梁。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤（e）和（f）同时被执行。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤（f）在所述步骤（e）之后被执行。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述杂质扩散源层配置成将包括其半径小于硅的半径的原子的杂质扩散至所述第二硅层中。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述杂质包括硼或磷。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤（c）在所述步骤（b）之后执行，其中所述步骤（c）包括：

（i）在所述第二硅层的上表面上、在所述第二硅层的与所述第一间隙和所述第二间隙接触的内壁表面上、以及在所述氧化硅层的通过所述第一间隙和所述第二间隙暴露的部分上形成所述杂质扩散源层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤（b）在所述步骤（c）之后执行，其中所述步骤（b）包括：

形成穿过所述杂质扩散源层和所述第二硅层的所述第一间隙和所述第二间隙。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

（g）在所述第二硅层上形成掩模层，其中所述掩模层配置成调节要扩散至所述第二硅层中的杂质的杂质量，以及

其中所述步骤（c）包括：在所述掩模层上形成所述杂质扩散源层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述步骤（c）在所述步骤（b）之后执行，以及所述步骤（g）在所述步骤（b）和所述步骤（c）之间执行，

其中所述步骤（g）包括：

（i）在所述第二硅层的上表面上、在所述第二硅层的与所述第一间隙和所述第二间隙接触的内壁表面上、以及在所述氧化硅层的通过所述第一间隙和所述第二间隙暴露的部分上形成所述掩模层，以及

其中所述步骤（c）包括：

（i）在所述掩模层上形成所述杂质扩散源层。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述步骤（c）在所述步骤（b）之后执行，以及所述步骤（g）在所述步骤（a）和所述步骤（b）之间执行，

其中所述步骤（b）包括：

（i）形成穿过所述掩模层和所述第二硅层的所述第一间隙和所述第二间隙，以及

其中所述步骤（c）包括：

（i）在所述掩模层上、在所述第二硅层的与所述第一间隙和所述第二间隙接触的内壁表面上、以及在所述氧化硅层的通过所述第一间隙和所述第二间隙暴露的部分上形成所述杂质扩散源层。