[发明专利]一种光谱选择性吸收涂层及其制备方法无效
申请号: | 201210504271.1 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN103317788A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 张秀廷;陈步亮;范兵;刘雪莲;王静;杨兴;文式轩 | 申请(专利权)人: | 北京天瑞星光热技术有限公司 |
主分类号: | B32B9/04 | 分类号: | B32B9/04;C23C14/06;C23C14/34 |
代理公司: | 北京国枫凯文律师事务所 11366 | 代理人: | 杨思东 |
地址: | 100190 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光谱 选择性 吸收 涂层 及其 制备 方法 | ||
1.一种光谱选择性吸收涂层,该光谱选择性吸收涂层位于基体上,依次包括第一扩散阻挡层、红外发射层、第二扩散阻挡层、吸收层和减反射层,其特征在于,所述吸收层包括第一亚层和第二亚层,所述第一亚层在所述第二扩散阻挡层的表面上,所述第二亚层在所述第一亚层上,所述第一亚层和第二亚层只包含相同的两种氧化物或者相同的两种氮化物,其中,所述两种氧化物或者所述两种氮化物在所述第一亚层所占的比例不同于在所述第二亚层中所占的比例。
2.如权利要求1所述的光谱选择性吸收涂层,其特征在于,所述两种氧化物包括:二氧化硅SiO2和二氧化钛TiO2,二氧化硅SiO2和氧化铬Cr2O3,二氧化钛TiO2和氧化铝Al2O3,或,氧化铬Cr2O3和氧化铝Al2O3;或者
所述两种氮化物为氮化硅Si3N4和氮化铝AlN。
3.如权利要求1或2所述的光谱选择性吸收涂层,其特征在于,较低折射率的氧化物在第一亚层所占体积百分比低于该较低折射率的氧化物在第二亚层所占体积百分比;或者,较低折射率的氮化物在第一亚层所占体积百分比低于该较低折射率的氮化物在第二亚层所占体积百分比。
4.如权利要求1或2所述的光谱选择性吸收涂层,其特征在于,所述第一亚层中折射率较低的氧化物或氮化物占体积百分比为30~50%,所述第二亚层中该折射率较低的氧化物或氮化物占的体积百分比为50~75%。
5.如权利要求1或2所述的光谱选择性吸收涂层,其特征在于,所述两种氧化物为SiO2和TiO2,所述第一亚层中SiO2的体积百分比为40%,其余为TiO2;所述第二亚层SiO2的体积百分比为60%,其余为TiO2。
6.如权利要求5所述的光谱选择性吸收涂层,其特征在于,所述第一亚层厚度为80纳米(nm),第二亚层厚度为60纳米(nm)。
7.如权利要求1或2所述的光谱选择性吸收涂层,其特征在于,所述两种氮化物为Si3N4和AlN,所述第一亚层中Si3N4的体积百分比为40%,其余为AlN;所述第二亚层Si3N4的体积百分比为60%,其余为AlN。
8.如权利要求7所述的光谱选择性吸收涂层,其特征在于,所述第一亚层厚度为100纳米(nm),所述第二亚层厚度为60纳米(nm)。
9.如权利要求1或2所述的光谱选择性吸收涂层,其特征在于,所述两种氧化物为SiO2和Cr2O3,第一亚层中SiO2的体积百分比为40%,其余为Cr2O3,第二亚层SiO2的体积百分比为60%,其余为Cr2O3。
10.如权利要求9所述的光谱选择性吸收涂层,其特征在于,所述第一亚层和第二亚层的厚度均为75纳米(nm)。
11.如权利要求1或2所述的光谱选择性吸收涂层,其特征在于,所述两种氧化物为TiO2和Al2O3,第一亚层中Al2O3的体积百分比为40%,其余为TiO2;第二亚层Al2O3的体积百分比为70%,其余为TiO2。
12.如权利要求10所述的光谱选择性吸收涂层,其特征在于,所述第一亚层和第二亚层的厚度均为100纳米(nm)。
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