[发明专利]像素单元结构、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种像素单元结构、阵列基板和显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在平板显示领域中占据了主导地位。

LCD根据电场形式的不同可分为多种类型，其中，高级超维场转换（Advancedsuper Dimension Switch，简称ADS）型TFT-LCD具有宽视角、高开口率、高透过率等优点而被广泛的应用。其通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维空间复合电场，像素电极和公共电极之间的电势差可以驱动液晶分子转动，使液晶盒内像素电极间、像素电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，通过不同的电势差可以控制液晶层透过率的变化，使得液晶显示器上形成不同的灰阶，实现显示。

发明人在实现本发明的过程中发现，在一帧画面的时间间隔里，某一像素电极必须与公共电极之间保持一定的电势差，使得该像素电极与公共电极之间的液晶保持一定的排布情况。而只要液晶显示器在工作，公共电极的电势是固定不变的，因此像素电极的电势也需要在一帧画面的时间间隔里保持不变，故而需要在像素单元内设置有存储电容，该存储电容有助于增强像素电极的电势维持能力。但增加存储电容后，又会减小像素单元的开口率，同时，增加存储电容意味着增加了制作像素单元结构的掩膜的工序，增加了像素单元结构的制作成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种像素单元结构、阵列基板和显示装置，该像素单元结构在实现存储电容的同时，保证像素单元的高开口率和低制作成本。

为解决上述技术问题，本发明像素单元结构和阵列基板采用如下技术方案：

一种像素单元结构，包括薄膜晶体管TFT、第一遮蔽层，所述第一遮蔽层与TFT有源层的漏极区域相对，所述第一遮蔽层连接至阵列基板的公共电极，与所述有源层的漏极区域之间形成电容。

进一步地，所述薄膜晶体管包括包括有源层、第二绝缘层、栅极、位于同一层的源极和漏极，其中，所述源极连接所述像素单元结构的数据线和所述有源层的源极区域，所述漏极连接所述像素单元结构的像素电极和所述有源层的漏极区域。

所述像素单元结构还包括与所述第一遮蔽层位于同一层的第二遮蔽层，所述第二遮蔽层与所述有源层上除去漏极区域的其他区域相对。

当所述像素单元结构的驱动模式为高级超维场转换模式时，所述像素单元结构还包括：

依次设置于所述第三绝缘层上的第四绝缘层、公共电极层、第五绝缘层和像素电极，所述第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层均具有过孔，各所述过孔填充有导电材料，且各所述过孔中填充的导电材料相通；

其中，所述有源层的漏极或源极通过所述相接的导电材料连接至所述像素电极上。

所述有源层由单晶硅或经过轻掺杂处理的多晶硅和经过重掺杂处理的多晶硅间隔形成。

述像素单元结构具有至少一个栅极，所述有源层中的单晶硅或经过轻掺杂处理的多晶硅与所述栅极相对。

所述有源层的源极区域和漏极区域的材质为经过重掺杂处理的多晶硅。

所述第一遮蔽层和所述第二遮蔽层一体成型。

一种阵列基板，包括衬底基板和多个位于所述衬底基板上的上述的像素单元结构，

其中，各所述像素单元结构的第一遮蔽层分别连接至所述阵列基板的公共电极，

或

各所述像素单元结构的第一遮蔽层串联共同连接至所述阵列基板的公共电极。

本发明还提供了一种显示装置，该装置中包括上述阵列基板。

本发明提供的像素单元结构中，第一遮蔽层能够与有源层的连接像素电极的源极或漏极之间形成电容，从而实现了像素单元结构中的存储电容。另外，由于与所述漏极形成存储电容的第一遮蔽层与连接像素电极的源极或漏极相对，对所述像素单元结构的开口率无影响，保证了所述像素单元结构的高开口率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中的像素单元结构的剖面图一；

图2为本发明实施例中的部分像素单元结构的平面图一；