[发明专利]N型硅衬底背接触型式HIT太阳电池结构和制备方法

权利要求书

1. 一种N型硅衬底背接触型式HIT太阳电池结构，其特征在于，N型硅衬底受光面由内到外依次为n+型晶硅层、减反射层的叠层结构；N型硅衬底背光面最内层为n+型晶硅层，在背光面n+型晶硅层沉积的薄膜分为两种结构，两种结构之间相互交替并有间隔互相分开；其中一部分为透明导电薄膜和电极的叠层结构，另一部分由内到外依次为本征非晶或微晶硅层、p型非晶或微晶硅层、透明导电薄膜和电极的叠层结构。

2. 根据权利要求1所述N型硅衬底背接触型式HIT太阳电池结构，其特征在于，本征非晶或微晶硅层，p型非晶或微晶硅层，透明导电薄膜，n+型晶硅层和减反射层的厚度范围为1~5000nm。

3. 根据权利要求2所述N型硅衬底背接触型式HIT太阳电池结构，其特征在于，本征非晶或微晶硅层，p型非晶或微晶硅，透明导电薄膜， n+型晶硅层，减反射层的厚度分别为10nm，12nm，15nm，200nm，80nm。

4. 根据权利要求1所述N型硅衬底背接触型式HIT太阳电池结构，其特征在于，n+型晶硅层沉积的薄膜分为两种结构，两种结构之间的间隔距离为0.01~10000μm。

5. 根据权利要求1所述N型硅衬底背接触型式HIT太阳电池结构，其特征在于，n+型晶硅层沉积的薄膜分为两种结构，两种结构之间的间隔为距离40μm。

6. 一种如权利要求1-5任一所述N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在制绒后的N型硅衬底进行P离子双面扩散；

（2）在受光面沉积减反射层；

（3）在背光面通过化学气相沉积在n+型晶硅层上依次沉积本征非晶或微晶硅层和p型非晶或微晶硅层； 

（4）以相同间隔清除本征非晶或微晶硅层和p型非晶或微晶硅层叠层结构；

（5）在背光面进行透明导电薄膜制备；

（6）在背光面进行镭射切割，切除本征非晶或微晶硅层和p型非晶或微晶硅层叠层结构与n+型晶硅层连接部分的透明导电薄膜；

（7）在背光面进行金属电极制备，在背光面n+型晶硅层沉积的薄膜形成两种结构，两种结构之间相互交替并有间隔互相分开；其中一部分为透明导电薄膜和电极的叠层结构，另一部分由内到外依次为本征非晶或微晶硅层、p型非晶或微晶硅层、透明导电薄膜和电极的叠层结构。

7. 根据权利要求6所述制备方法，其特征在于，清除本征非晶或微晶硅层和p型非晶或微晶硅层叠层结构的方法为：a在需要清除的叠层部分之外丝网印刷一层保护层，b化学腐蚀去除未受保护部分的叠层结构，c去除保护层。

8. 一种如权利要求1-5任一所述N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在制绒后的N型硅衬底进行P离子双面扩散；

（2）在受光面沉积减反射层；

（3）在背光面通过带掩膜版的离子注入法在n+型晶硅层上依次制备本征非晶或微晶硅层和p型非晶或微晶硅层，本征非晶或微晶硅层和p型非晶或微晶硅层叠层结构有间隔排列；

（4）在背光面进行透明导电薄膜制备；

（5）在背光面进行镭射切割，切除本征非晶或微晶硅层和p型非晶或微晶硅层叠层结构与n+型晶硅层连接部分的透明导电薄膜；

（6）在背光面进行金属电极制备，在背光面n+型晶硅层沉积的薄膜形成两种结构，两种结构之间相互交替并有间隔互相分开；其中一部分为透明导电薄膜和电极的叠层结构，另一部分由内到外依次为本征非晶或微晶硅层、p型非晶或微晶硅层、透明导电薄膜和电极的叠层结构。