[发明专利]一种氮化硅陶瓷无效
| 申请号： | 201210496152.6 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103848627A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李东炬 | 申请（专利权）人： | 大连大友高技术陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅 |
| 地址： | 116000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 陶瓷 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化硅陶瓷，其特征在于：所述陶瓷的相对密度为98.8%~99.5%、断裂韧性为8.0MPa·m1/2~9.2MPa·m1/2、维氏硬度为20.5GPa~21.5GPa。
2.根据权利要求1所述的陶瓷，其特征在于：所述陶瓷的相对密度为99.0%~99.5%、断裂韧性为8.6MPa·m1/2~9.2MPa·m1/2、维氏硬度为21GPa~21.5GPa。
3.根据权利要求1所述的陶瓷，其特征在于：所述陶瓷的相对密度为99.2%、断裂韧性为8.9MPa·m1/2、维氏硬度为21.3GPa。
4.根据权利要求1所述的陶瓷，其特征在于：所述陶瓷按下述方法制备：
①混料：将经干燥后的陶瓷原料按比例混合均匀，过80~200目筛；
②球磨：常温下，将经混料的粉料置于球磨机中，于300~360r/min的速度球磨6h~10h；
③烧结：常压下，将粉料置于模具中，在烧结炉中以60~80℃/min的速度升温至1600℃~1650℃，保温0.5h~2h，停止加热后随炉冷却至室温。
其中，步骤①中所述陶瓷原料，按质量百分比，由下述组分组成：
5.根据权利要求4所述的陶瓷，其特征在于：所述陶瓷原料，按质量百分比，由下述组分组成：
6.根据权利要求4所述的陶瓷，其特征在于：所述陶瓷原料，按质量百分比，由下述组分组成：
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