[发明专利]软X射线管及其制造方法及具有该射线管的光离子静电消除器无效
申请号: | 201210490743.2 | 申请日: | 2012-11-27 |
公开(公告)号: | CN102956419A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 徐卫平;任翔;王奇志;沙京田;曹琴琴 | 申请(专利权)人: | 公安部第一研究所;北京中盾安民分析技术有限公司 |
主分类号: | H01J35/32 | 分类号: | H01J35/32;H01J35/08;H01J35/14;H01J9/24;H01J9/02;H01J9/18 |
代理公司: | 北京中海智圣知识产权代理有限公司 11282 | 代理人: | 李奎书 |
地址: | 100048*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 射线 及其 制造 方法 具有 离子 静电 消除 | ||
技术领域
本发明涉及一种电真空器件,尤其是一种软X射线管、其制造方法以及由所述软X射线管为发射源的光离子静电消除器。
背景技术
目前,X射线管的应用范围除了常规的工业探伤、安全检查、医疗诊断领域外,已经被广泛应用于其他领域,比如静电消除、空气净化、软组织摄影、材料分析及商品检验等。近年来,公开的专利技术中主要有以下几项:
申请号为CN200810202778.5的发明专利“一种用光离子消除静电的方法及其装置”公开的X射线管,是在X射线管内设置环形阳极靶面和环形阴极,在X射线管的前端,设置端窗式发射窗,所述环形阴极为一外径小于环形阳极靶面内径的圆柱状体,其靠近X射线端子侧的一端设置贯穿孔,其靠近X射线管发射窗的一端设置一纵向开口槽与贯穿孔相通,开口槽中设置螺旋状灯丝绕组,其阴极结构复杂,加工困难。
申请号为CN200580010021.0的发明专利“透射式X射线管及其制造方法”,公开的X射线管的管体主要由陶瓷和铜材料组成,透射式阳极端(端窗)采用铜材料,阴极结构无阴极罩。工艺上,采用钎焊方法分别焊接阴极结构和阳极组件,最后将阴极和阳极再次进行焊接。不仅结构复杂,而且制作工艺过程需要二次钎焊和一次电弧焊并需多处放置焊料及陶瓷金属化处理,加工工艺较为复杂。
申请号为200610114222.1的中国发明专利“一种端窗X射线管”,公开了一种典型的端窗X射线管,外壳采用铜基材料,薄膜阳极靶采用厚度为20μm的薄膜钼片,薄膜阳极靶设置于阴极灯丝与铍窗之间。薄膜阳极靶如此设置,一方面产生软X射线的效率较低,另一方面在透射窗方向上的射线辐射角度较小。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种产生软X射线丰富、辐射出射角较大,空间各向的对称性好,且结构简单的软X射线管,其制造方法,以及由所述软X射线管为发射源的光离子静电消除器。
本发明的技术方案如下:
软X射线管,由端窗输出式阳极组件、真空密封组件、阴极组件组成;所述阴极组件包括阴极托、平板芯柱、分别固定在平板芯柱上的灯丝和阴极托以及与阴极托焊接连接的阴极罩,所述平板芯柱的结构为将多根芯柱固定在平板上的结构,所述灯丝焊接在芯柱的顶端,所述阴极托固定在芯柱上靠近平板的位置;所述阳极组件包括一面具有厚度为纳米级的金属薄膜靶层的铍片和阳极焊接件,所述铍片具有纳米级金属薄膜靶层的一面朝向所述阴极组件并焊接在阳极焊接件上;所述真空密封组件包括结构为两端开口的筒状结构的玻璃壳和与所述玻璃壳的一端封接在一起的可伐构件;所述阳极焊接件与所述可伐构件焊接在一起,所述玻璃壳的另一端与平板芯柱的平板封接在一起,所述阴极组件的灯丝位于真空密封组件内部。
优选地,所述纳米级金属薄膜靶层是采用离子束溅射沉积的方法沉积在铍片上的。
优选地,所述金属薄膜靶层为钨薄膜靶层,所述钨薄膜靶层的厚度范围为50nm~4000nm。
优选地,所述金属薄膜靶层为钼、铜、铁、镍、铬、银金属薄膜中的一种。
软X射线管的制造方法,包括以下步骤:
(a)在铍片的一面通过离子束溅射沉积一层厚度为纳米级的金属薄膜靶层;
(b)通过封接工艺将可伐构件和玻璃壳封接在一起;通过真空钎焊工艺,将一面具有金属薄膜靶层的铍片、阳极焊接件和可伐构件焊接,形成带有阳极组件的真空密封组件;
(c)将阴极托固定在平板芯柱上靠近平板的位置,将灯丝焊接在平板芯柱的顶端,将阴极罩焊接在阴极托上,制成阴极组件;
(d)通过封口工艺将阴极组件与真空密封组件封接在一起;通过排气工艺最终制成软X射线管。
一种光离子静电消除器,其发射源为本发明所述的软X射线管。
本发明所述的软X射线管,用于各种行业的静电消除,其工作原理是:用所述软X射线管产生的软X射线照射带静电物体,使物体周围的空气产生电离,生成高密度的正负离子,中和以致消除被照物体的表面静电。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于公安部第一研究所;北京中盾安民分析技术有限公司,未经公安部第一研究所;北京中盾安民分析技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210490743.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置及其制造方法
- 下一篇:一种音频播放装置及方法