[发明专利]多孔基材的修饰方法及经修饰的多孔基材

权利要求书

1.一种多孔基材的修饰方法，包括下列步骤：

披覆至少一金属氢氧化物层于一多孔基材上；及

锻烧具有金属氢氧化物层的多孔基材，以将所述金属氢氧化物层转化为一具有连续相的金属氧化物层，形成一经修饰的多孔基材。

2.如权利要求1所述的多孔基材的修饰方法，其中所述金属氢氧化物层为一层状双氢氧化物，而披覆金属氢氧化物层的方式为将所述多孔基材置于一碱性溶液中，其中所述碱性溶液包括所述金属氢氧化物层所对应的第一金属的离子及与该第一金属的离子相异的第二金属的离子，藉此形成层状双氢氧化物。

3.如权利要求2所述的多孔基材的修饰方法，其中所述第一金属的离子为Al³⁺、Mn³⁺、Ni³⁺、Fe³⁺或Cr³⁺，且所述第二金属的离子为Ni²⁺、Mg²⁺、Zn²⁺、Ca²⁺、Cu²⁺、Mn²⁺、Li⁺、Na⁺或K⁺。

4.如权利要求2所述的多孔基材的修饰方法，其中所述碱性溶液的pH值为11.0-12.3。

5.如权利要求2所述的多孔基材的修饰方法，其中所述碱性溶液中的第一金属的离子的浓度为200-1100ppm，第二金属的离子的浓度为200-600ppm。

6.如权利要求1所述的多孔基材的修饰方法，其中所述金属氧化物层是含第二金属的第一金属的氧化物，且第一金属与第二金属相异。

7.如权利要求6所述的多孔基材的修饰方法，其中所述第二金属相对于金属氧化物层总重的重量比为0.5-30%。

8.如权利要求1所述的多孔基材的修饰方法，所述金属氢氧化物层的锻烧温度为300-600℃。

9.如权利要求1所述的多孔基材的修饰方法，其中所述金属氧化物层厚度为0.1-3μm。

10.如权利要求1所述的多孔基材的修饰方法，其中所述经修饰的多孔基材孔径为1-3μm。

11.如权利要求1所述的多孔基材的修饰方法，其中还包括在将金属氢氧化物层煅烧形成一金属氧化物层后，再形成一具有气体选择性的膜层于所述金属氧化物层上，藉此形成一气体分离模组。

12.如权利要求11所述的多孔基材的修饰方法，其中所述具有气体选择性的膜层的材料为钯、钯-银合金、钯-铜合金、钒合金、铌合金或钽合金。

13.如权利要求1所述的多孔基材的修饰方法，还包括在披覆金属氢氧化物层于多孔基材上之前，在所述多孔基材的孔洞内填入多个填充粒子。

14.如权利要求13所述的多孔基材的修饰方法，其中所述等填充粒子为氧化铝、氧化硅、氧化钙、氧化铈、氧化钛、氧化铬、氧化锰、氧化铁、氧化镍、氧化铜、氧化锌、氧化锆，且粒径为1-30μm。

15.一种经修饰的多孔基材，包括：

一多孔基材；及

一具有连续相的金属氧化物层，披覆于所述多孔基材上，其中所述具有连续相的金属氧化物层为含第二金属的第一金属的氧化物，且第一金属与第二金属相异。

16.如权利要求15所述的经修饰的多孔基材，其中所述多孔基材为多孔不锈钢或多孔镍基合金钢。

17.如权利要求15所述的经修饰的多孔基材，其中所述金属氧化物层为氧化镁、氧化铝、氧化铬、氧化锂、氧化钠、氧化钾、氧化锌、氧化铁、氧化镍、氧化锰、氧化钙、氧化铜或上述任意组合。

18.如权利要求15所述的经修饰的多孔基材，其中所述金属氧化物层的厚度为0.1-3μm。

19.如权利要求15所述的经修饰的多孔基材，其中所述第二金属为Ni、Mg、Zn、Ca、Cu、Mn、Li、Na或K。

20.如权利要求19所述的经修饰的多孔基材，其中所述第二金属占所述金属氧化物层总重的0.5-30%。