[发明专利]一种晶体硅组件

说明书

技术领域

本发明涉及晶体硅组件技术领域，特别涉及一种晶体硅组件中电池片的排列方式。

背景技术

晶体硅组件实际使用过程中，当其中的某些电池片由于发生破裂，或者局部被遮光等原因而致使其电性能与其它正常工作的电池片严重不匹配时，这些电池片不但不能对组件的功率输出做出贡献，反而会成为实际的耗能单元，消耗其它电池片产生的电能。更严重的是，这些失谐的电池片耗能产生的热量可能导致它们自身被烧毁，从而导致整个晶体硅组件报废。这便是组件的热斑效应。

对于电池片采用纯串联方式的晶体硅组件，为防止热斑效应的发生，现在普遍采用的方法是在组件功率输出端的接线盒内加装旁路二极管，这些旁路二极管可以在某些电池片发生热斑效应时导通，从而将其短接，阻止其持续耗能与发热，而当失谐电池片恢复正常工作时，这些旁路二极管又会单向截止而断开，组件功率输出也恢复正常。

现有的常规60片和72片晶体硅组件，其电池片为纯串联方式连接，并采取6×10及6×12的纵向排版方式，即6列10行和6列12行，它们功率输出端接线盒中一般包含3个或3组旁路二极管，每个或每组旁路二极管与两串电池片并联（对于60片组件而言，每个或每组旁路二极管与20片电池片并联；对于72片组件而言，每个或每组旁路二极管与24片电池片并联）。

在上述接入方式下，当某一电池片发生热斑效应致使旁路二极管发生作用而导通时，将会导致这一电池片所在的那两串电池片全部被短接（对于60片组件为20片电池片，对于72片组件为24片电池片），即会造成组件1/3的电池片被短接，组件输出功率亦会随之降低1/3。由于一片或某几片电池片的电性能失谐而对整块组件的功率输出造成如此大的降低，显然严重影响组件的利用。

因此，如何提供一种晶体硅组件，在晶硅组件因发生局部热斑效应而导致旁路二极管导通时，能够减少整块组件功率输出的降低，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明要解决的技术问题为提供一种晶体硅组件，在晶硅组件因发生局部热斑效应而导致旁路二极管导通时，能够减少整块组件功率输出的降低。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种晶体硅组件，包括基板和在所述基板上串联连接的电池片，所述电池片呈行列排布，所述电池片的行数小于列数；且在n和n+1列之间并联设置有旁路二极管，n为奇数。

优选地，上述晶体硅组件中，所述电池片为60个，呈6行10列排布，n=1、3、5、7、9。

优选地，上述晶体硅组件中，所述电池片为72个，呈6行12列排布，n=1、3、5、7、9、11。

相对于现有技术，本发明的技术效果是：

本发明提供的晶体硅组件，包括基板和在上述基板上串联连接的电池片，电池片呈行列排布，电池片的行数小于列数，且在n和n+1列之间并联设置有旁路二极管，n为奇数。

可见，本发明中，电池片采用了行数小于列数的横向排版方式，且在n和n+1列之间并联设置有旁路二极管，相比于现有技术中的行数大于列数的纵向排版方式，与旁路二极管并联的电池片的数量减少，在本发明提供的晶体硅组件发生局部热斑效应，而使得对应的旁路二极管导通时，被短接的电池片的数量减少，从而整个组件的输出功率的降低也相应地减少。

综上所述，本发明提供的晶体硅组件，在晶硅组件因发生局部热斑效应而导致旁路二极管导通时，能够减少整块组件功率输出的降低。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的60片晶体硅组件排版方式的原理图；

图2为图1实施例中提供的晶体硅组件的排版方式的结构示意图；

图3为图2中晶体硅组件的A端局部放大图。

上图中，附图标记和部件名称之间的对应关系为：

1基板；2电池片；3旁路二极管；4汇流条。

具体实施方式

本发明的核心为提供一种晶体硅组件，在晶硅组件因发生局部热斑效应而导致旁路二极管导通时，能够减少整块组件功率输出的降低。