[发明专利]非易失性存储装置、存储系统和控制器操作方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年11月21日提交的韩国专利申请No.10-2011-0121719的优先权，该申请的主题通过引用并入本文。

技术领域

本发明构思涉及半导体存储装置，更具体地，涉及非易失性存储装置、控制非易失性存储装置的控制器和对这种控制器进行操作的方法。

背景技术

半导体存储装置是使用诸如硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）之类的半导体制造的存储装置。半导体存储装置分为易失性存储装置和非易失性存储装置。

易失性存储装置在断电时会丢失所存储的内容。易失性存储装置包括静态RAM（SRAM）、动态RAM（DRAM）、同步DRAM（SDRAM）等。非易失性存储装置即使在断电时也可以保留所存储的内容。非易失性存储装置包括只读存储器（ROM）、可编程ROM（PROM）、电可编程ROM（EPROM）、电可擦除及可编程ROM（EEPROM）、闪存装置、相变RAM（PRAM）、磁性RAM（MRAM）、电阻式RAM（RRAM）、铁电RAM（FRAM）等。闪存装置粗略地分为NOR型和NAND型。

发明内容

在一个实施例中，本发明构思针对这样一种非易失性存储装置，其包括：第一平面，其配置为响应于从控制器接收的第一指令而执行针对第一存储单元阵列的第一操作；第二平面，其配置为响应于从所述控制器接收的第二指令而执行针对第二存储单元阵列的第二操作，所述第二存储单元阵列在物理上与所述第一存储单元阵列分开；以及数据输入/输出（I/O）电路，其响应于读取指令，经由公用数据总线将从所述第一存储单元阵列和所述第二存储单元阵列中的至少一个获取的读取数据传送给所述控制器；响应于编程指令，经由所述公用数据总线将从所述控制器接收的编程数据传送给所述第一存储单元阵列和所述第二存储单元阵列中的至少一个；并且提供指示空闲状态和忙碌状态之一的就绪/忙碌信号，其中所述就绪/忙碌信号的状态判定是否执行所述第一指令和所述第二指令。

在另一个实施例中，本发明构思针对这样一种控制器的操作方法，所述控制器控制包括多个平面的非易失性存储装置，相对于所述多个平面中的其它平面，每个平面被分别并独立地配置为执行操作，所述操作方法包括：产生针对所述多个平面中的目标平面的下一条指令；执行状态读取操作以判定所述目标平面是处于空闲状态还是处于忙碌状态；如果所述目标平面处于空闲状态，则将所述下一条指令传送给所述非易失性存储装置以执行，如果所述目标平面处于忙碌状态，则为所述下一条指令判定优先级。

在另一个实施例中，本发明构思针对这样一种存储系统的操作方法，所述存储系统包括控制器和非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括相对于彼此被分别并独立地配置以执行操作的第一平面和第二平面，所述操作方法包括：从所述非易失性存储装置提供指示所述非易失性装置的空闲状态和忙碌状态之一的就绪/忙碌信号；在所述控制器中，产生指示针对所述第一平面的第一操作的下一条指令；然后，如果所述就绪/忙碌信号指示空闲状态，则执行状态读取操作以判定所述第一平面是否处于空闲状态，如果所述第一平面是处于空闲状态，则立即将所述下一条指令传送给所述非易失性存储装置，否则等待将所述下一条指令传送给所述非易失性存储装置。

在另一个实施例中，本发明构思针对这样一种存储系统，其包括：控制器和由所述控制器控制其操作的非易失性存储装置，其中所述非易失性存储装置包括：第一平面，其配置为响应于从所述控制器接收的第一指令而执行针对第一存储单元阵列的第一操作；第二平面，其配置为响应于从所述控制器接收的第二指令而执行针对第二存储单元阵列的第二操作，所述第二存储单元阵列在物理上与所述第一存储单元阵列分开；以及数据输入/输出（I/O）电路，其响应于读取指令，经由公用数据总线将从所述第一存储单元阵列和所述第二存储单元阵列中的至少一个获取的读取数据传送给所述控制器；响应于编程指令，经由所述公用数据总线将从所述控制器接收的编程数据传送给所述第一存储单元阵列和所述第二存储单元阵列中的至少一个；并且提供指示空闲状态和忙碌状态之一的就绪/忙碌信号，其中所述就绪/忙碌信号的状态判定是否执行所述第一指令和所述第二指令。

附图说明

通过以下参考附图进行的说明，上述和其它的目的和特征将会变得清楚，其中，

图1是示意性地示出了根据本发明构思的一个实施例的非易失性存储装置的框图。

图2是描述了在第一平面的存储单元阵列和第二平面的存储单元阵列处执行编程、读取或擦除的示例的示图。