[发明专利]基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种基于SOI的锗硅异质结双极晶体管，其特征在于 ：包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及形成于该埋氧化层上的有源区和隔离区；所述有源区一端形成有集电极，其余部分形成集电区，所述集电区与所述隔离区上形成有基区，所述基区上形成有发射极和基极，所述发射极和基极分别被侧墙氧化层包围；所述集电区包括掺杂硅膜以及位于所述掺杂硅膜下部的重掺杂第一多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的基于SOI的锗硅异质结双极晶体管，其特征在于：所述发射极向基区扩散形成有浅发射结。

3.根据权利要求1所述的基于SOI的锗硅异质结双极晶体管，其特征在于：所述重掺杂第一多晶硅层的厚度范围是10~50 nm。

4.一种基于SOI的锗硅异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）提供一自下而上依次为背衬底、埋氧化层和顶层硅膜的SOI衬底；

2）在所述顶层硅膜位置处形成有源区和隔离区；

3）对所述有源区进行Si离子注入，在所述有源区下部靠近埋氧化层的位置形成第一多晶硅层；

4）对设有所述第一多晶硅层的有源区进行掺杂，形成集电区；

5）在所述集电区和隔离区上外延基区，并在所述基区上制作出发射极、基极及包围所述发射极和基极的侧墙氧化层，在所述集电区一端制作出集电极。

5.根据权利要求4所述的所述的基于SOI的锗硅异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于：于所述步骤4）中，对设有所述第一多晶硅层的有源区进行掺杂时采用两次离子注入，首先进行离子深注入，注入深度至所述第一多晶硅层，形成重掺杂第一多晶硅层，然后进行离子浅注入，注入深度至所述重掺杂第一多晶硅层之上，形成掺杂硅膜，所述重掺杂第一多晶硅层与所述掺杂硅膜形成集电区。

6.根据权利要求4所述的所述的基于SOI的锗硅异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于：于所述步骤5）中，通过在所述基区上沉积第二多晶硅层，然后对所述第二多晶硅层两侧分别进行离子注入，并进行刻蚀形成发射极和基极。

7.根据权利要求4所述的所述的基于SOI的锗硅异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述基区为第一导电类型掺杂，所述设有第一多晶硅层的有源区为第二导电类型掺杂；所述基极采用第一导电类型重掺杂得到，所述集电极与发射极通过第二导电类型重掺杂得到。

8.根据权利要求4所述的所述的基于SOI的锗硅异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于：于所述步骤3）中Si离子的注入剂量范围是1E14~1E16 cm^-2。

9.根据权利要求4所述的所述的基于SOI的锗硅异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述第一多晶硅层的厚度范围是10~50 nm。

10.根据权利要求4所述的所述的基于SOI的锗硅异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于： 所述基区为第一导电类型掺杂的SiGe:C材料。