[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底表面形成介质层；

刻蚀所述介质层和半导体衬底，形成若干间隔排列的第一凹槽；

在所述第一凹槽内填充满隔离层；

去除所述介质层，在隔离层之间形成第二凹槽；

在所述第二凹槽内填充满第一功能层；

通过氧致锗聚集工艺对所述第一功能层表面进行处理，形成锗硅层。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，通过氧致锗聚集工艺对所述第一功能层表面进行处理，形成锗硅层包括：

在所述隔离层和第一功能层上表面由下至上依次沉积第二功能层和第三功能层，所述第二功能层的材料为锗硅，所述第三功能层的材料为硅；

对所述第二功能层和第三功能层进行氢离子注入；

进行第一退火处理，使氢离子在第二功能层中扩散；

进行第二退火处理，使第二功能层中锗离子进入第一功能层顶部部分厚度的第一功能层中，形成锗硅层；

对所述第二功能层和第三功能层进行氧化处理；

进行第三退火处理，激活所述锗硅层中锗离子；

去除氧化处理后的第二功能层和第三功能层。

3.如权利要求2所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第二功能层的厚度为40nm~400nm，所述第二功能层中锗所占的质量百分比为15%~40%。

4.如权利要求2所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理的温度为450℃~550℃，时间为25min~35min；所述第二退火处理的温度为800℃~900℃，时间为55min~65min；所述氧化处理的温度为1100℃~1200℃，所述第三退火处理的温度为1150℃~1200℃，气体为氮气。

5.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一功能层的材料为单晶硅。

6.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在所述第二凹槽内填充满第一功能层的方法为外延生长工艺。

7.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在形成锗硅层之后，还包括：去除部分厚度的隔离层，形成隔离结构。

8.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的隔离层的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的溶液为氢氟酸溶液。

9.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在去除部分厚度的隔离层，形成隔离结构之后，还包括：进行清洗工艺。

10.如权利要求9所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述清洗工艺的溶液为加入双氧水的碱性溶液。

11.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底表面形成介质层之前，还包括：在所述半导体衬底表面形成刻蚀停止层。

12.如权利要求11所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为氮化硅，所述刻蚀停止层的材料为氧化硅。

13.如权利要求11所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在形成第一凹槽之后，还包括：沿第一凹槽开口方向对所述介质层进行湿法回刻。

14.如权利要求13所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述湿法回刻去除介质层的厚度为10埃~30埃。

15.如权利要求11所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，去除所述介质层之后，还包括：去除所述刻蚀停止层。

16.如权利要求15所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，去除所述刻蚀停止层的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的溶液为氢氟酸溶液。