[发明专利]多光谱保护薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210453336.4 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN102912293A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 董茂进;陈焘;王多书;熊玉卿;王济洲;李晨;张玲 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一0研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 马英 |
| 地址： | 730000*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光谱 保护 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多光谱保护薄膜，包括多光谱硫化锌基片，其特征在于：所述多光谱硫化锌基片的一面采用离子束反应溅射镀制氮氧化铪薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种多光谱保护薄膜的制备方法：包括清洁真空室、清洗基底、安装靶材和多光谱硫化锌基片、真空室抽真空、预溅射和离子束反应溅射制备多光谱氮氧化铪薄膜；其特征是：所述的靶材为铪靶；所述离子束反应溅射制备多光谱氮氧化铪薄膜的方法为：工作气体为纯度99.99%的氩气，反应气体为纯度均为99.99%的氧气和氮气，工作气压为1~3Pa，沉积温度150~180℃，氮气流量固定为8~12sccm，氩氧总气流量为20~40sccm，其中氩气和氧气的比例为4:1~9:1，溅射的铪与氮气和氧气通过射频源形成的氮离子和氧离子反应，得到所述氮氧化铪薄膜。
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