[发明专利]一种多功能等离子体增强涂层系统

权利要求书

1.一种多功能等离子体增强涂层系统，包括真空室（1）和真空获得装置，其特征在于：在真空室（1）的中央设有旋转工件台（12），在真空室（1）的内腔壁设有二个相邻的阴极电弧靶（2，4），阴极电弧靶之一带阻挡屏（3），在此阴极电弧靶（2）的正对面设有辅助阳极装置（11），阴极电弧靶之二位于阴极电弧靶之一的相邻处，由旋转工件台（12）、二个阴极电弧靶和真空室（1）、辅助阳极装置（11）和真空室（1）构成旋转式电弧离子镀等离子体增强涂层系统。

2.根据权利要求1所述的一种多功能等离子体增强涂层系统，其特征在于：在阴极电弧靶之一的斜对面设有磁控溅射靶（10），由旋转工件台（12）、二个阴极电弧靶、磁控溅射靶（10）、辅助阳极装置11和真空室（1）构成旋转式电弧离子镀、磁控溅射镀多功能等离子体增强涂层系统。

3.根据权利要求2所述的一种多功能等离子体增强涂层系统，其特征在于：真空室（1）呈筒状，其截面呈六边状、八边状、十边状或十二边状，其中有相邻的二边各设有一个凹位，阴极电弧靶之一内置在凹位之一，阴极电弧靶之二内置在凹位之二，辅助阳极装置（11）设置在阴极电弧靶之一的正对面，磁控溅射靶（10）设置在与辅助阳极装置（11）相邻的下边处；阻挡屏（3）位于阴极电弧靶之一凹位的开口处并在该开口处留有间隙。

4.根据权利要求2所述的一种多功能等离子体增强涂层系统，其特征在于：真空室（1）呈圆筒状，真空室（1）的截面呈圆形状，在X轴上的内壁处设有凹位之一，阴极电弧靶之一内置在该凹位之一中；在凹位之一的下方设有凹位之二，阴极电弧靶之二内置在凹位之二中，辅助阳极装置（11）设置在阴极电弧靶之一的正对面，磁控溅射靶（10）设置在与辅助阳极装置（11）的下边处；阻挡屏（3）位于电弧靶一凹位的开口处并在该开口处留有间隙。

5.根据权利要求1所述的一种多功能等离子体增强涂层系统，其特征在于：真空室（1）呈筒状，真空室（1）的截面呈六边状、八边状、十边状或十二边状，其中有相邻的二边各设有一个凹位，阴极电弧靶之一内置在凹位之一，阴极电弧源之二内置在凹位之二，辅助阳极装置（11）设置在阴极电弧靶之一的正对面；阻挡屏（3）位于凹位之一的开口处并在该开口处留有间隙。

6.根据权利要求5所述的一种多功能等离子体增强涂层系统，其特征在于：真空室（1）呈圆筒状，真空室（1）的截面呈圆形状，在X轴上的内壁处设有凹位之一，阴极电弧靶之一内置在该凹位之一中；在凹位之一的下方设有凹位之二，阴极电弧源之二内置在凹位之二中，辅助阳极装置（11）设置在阴极电弧靶之一的正对面；阻挡屏（3）位于凹位之一的开口处并在该开口处留有间隙。

7.根据权利要求2或5所述的一种多功能等离子体增强涂层系统，其特征在于：在真空室（1）内设置电加热板，旋转工作台（12）装备有行星机构和辅助设施。

8.根据权利要求2或5所述的一种多功能等离子体增强涂层系统，其特征在于：真空获得装置由真空泵机组构成，其连接通道设置在真空室的一个侧面。