[发明专利]一种金色低辐射镀膜玻璃及其制备方法有效
申请号: | 201210451268.8 | 申请日: | 2012-11-13 |
公开(公告)号: | CN102910839A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 林嘉佑 | 申请(专利权)人: | 林嘉佑 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36;B32B17/06;B32B15/04;B32B9/04 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光辉 |
地址: | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金色 辐射 镀膜 玻璃 及其 制备 方法 | ||
1.一种金色低辐射镀膜玻璃,其特征在于,该镀膜玻璃包括:玻璃基板/底层电介质层/底层阻挡层/功能层/顶层阻挡层/顶层电介质层/顶层金属层;其中,底层电介质层为TiOx层,底层阻挡层为NiCr层或CrNx层,功能层为Ag层,顶层阻挡层为NiCrNx层或CrNx层,顶层电介质层为Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层,顶层金属层为Si层。
2.根据权利要求1所述金色低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述底层电介质层膜厚为10~30nm,底层阻挡层膜厚为0~10nm,功能层膜厚为10~30nm,顶层阻挡层膜厚为0~10nm,顶层电介质层膜厚为80~110nm,顶层金属层膜厚为0~10nm。
3.根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述底层电介质层膜厚为19.1nm。
4.根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述底层阻挡层膜厚为1.7nm。
5.根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述功能层膜厚为15.3nm。
6.根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述顶层阻挡层膜厚为3.9nm。
7.根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述顶层电介质层膜厚为91.5nm。
8.根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述顶层金属层膜厚为5nm。
9.一种金色低辐射镀膜玻璃的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
(1)洗片;使用纯水,通过洗片机,利用圆盘刷和滚筒刷等工具完成对玻璃基板的清洗;
(2)风干;使用热风机进行风干;
(3)逐层镀膜;将风干后的所述玻璃基板,置入真空磁控溅射镀膜设备的靶材室进行逐层镀膜,包括:在玻璃基板上镀底层电介质;在底层电介质上镀底层阻挡层;在底层阻挡层上镀功能层;在功能层上镀顶层阻挡层;顶层阻挡层上镀顶层电介质层;在顶层电介质层上镀顶层金属层。
10.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于:所述底层电介质层为TiOx;底层阻挡层为NiCr层或CrNx层,功能层为Ag层,顶层阻挡层为NiCrNx层或CrNx层,顶层电介质层为Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层,顶层金属层为Si。
11.如权利要求10所述的制备方法,其特征在于:所述底层电介质层TiOx层使用氧化钛靶,采用双阴极,中频溅射的方式,在工艺气体O2和Ar的参与下,在玻璃基板表面沉积成膜;TiOx层的溅射功率为:60KW-90KW;真空溅射气压为:5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。
12.如权利要求10所述的制备方法,其特征在于:所述底层阻挡层NiCr层或CrNx层,使用镍镉靶,采用平面阴极,直流磁控溅射的方式,在工艺气体Ar的参与下,在底层电介质TiOx上沉积成膜;NiCr层或CrNx层的溅射功率为:1KW-5KW;真空溅射气压为:1.0E-3mbar -3.0E-6mbar。
13.如权利要求10所述的制备方法,其特征在于:所述功能层Ag层使用银靶,采用平面阴极,直流磁控溅射的方式,在工艺气体Ar的参与下,在底层阻挡层NiCr或CrNx上沉积成膜;Ag层的溅射功率为:5KW-15KW;真空溅射气压为:5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。
14.如权利要求10所述的制备方法,其特征在于:所述顶层阻挡层NiCrNx层或CrNx层,使用镍镉靶,采用平面阴极,直流磁控溅射的方式,在工艺气体Ar的参与下,在功能层Ag层上沉积形膜;NiCrNx层或CrNx层的溅射功率为:1KW-10KW;真空溅射气压为:5.0E-3mbar -1.0E-3mbar。
15.如权利要求10所述的制备方法,其特征在于:所述顶层电介质层Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层,使用硅铝靶,采用双阴极,中频溅射的方式,在工艺气体N2和Ar的参与下,在顶层阻挡层NiCrNx或CrNx上沉积成膜;Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层的溅射功率为:30KW-50KW;真空溅射气压为:5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。
16.如权利要求10所述的制备方法,其特征在于:所述顶层金属层Si膜层使用硅靶,采用平面阴极,直流磁控溅射的方式,在工艺气体Ar的参与下,在顶层电介质层Si3N4或ZnSnOx+Si3N4上沉积成膜;Si膜层的溅射功率为:5KW-15KW;真空溅射气压为:5.0E-3mbar -1.0E-3mbar。
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