[发明专利]使用与非闪存存储嵌入式代码的方法无效
申请号: | 201210442205.6 | 申请日: | 2012-11-07 |
公开(公告)号: | CN103092713A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 吴跃;张进;王颖;贺知明 | 申请(专利权)人: | 无锡成电科大科技发展有限公司 |
主分类号: | G06F11/07 | 分类号: | G06F11/07 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨小双 |
地址: | 214135 江苏省无锡市无锡新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 闪存 存储 嵌入式 代码 方法 | ||
技术领域
本发明涉及存储嵌入式代码的方法,尤其是指一种使用与非闪存存储嵌入式代码的方法。
背景技术
在现有技术中,常用的非易失闪存一般可以分为两大类,一类是或非闪存(Nor Flash),另一类是与非闪存(Nand Flash)。其中的Nor Flash是并行结构,可随机存取,支持嵌入式代码的本地运行,稳定性很好,并具有较快的数据读出速度,所以通常用于系统中的嵌入式代码的存储与数据存储,或者用于不间断运行的应用,例如,蜂窝电话等。;Nand Flash是一种串行结构,采用顺序存储方式,比Nor Flash具有更高的存储密度,一般用于大存储量的应用,例如,PDA、数字相机、数码摄像机、IC卡、汽车导航系统、电子图书、MP3播放机、固态磁盘驱动器、2.5G/3G蜂窝电话、视频流处理和互联网数据下载等。
随着技术的飞速发展,系统级芯片(SOC)的规模也越来越大,嵌入式处理器的功能也越来越强,其所需的嵌入式代码量也随之急剧增加,因此所需要的Nor Flash的存储容量也相应加大。但是,由于Nor Flash在制造过程中较难实现较高的存储密度,因此Nor Flash的存储容量一般都比较小,大容量NorFlash的制造成本比较高,因此造成了整个系统的总成本比较高。
与Nor Flash相比,Nand Flash在制造过程中容易实现很高的存储密度,因此具有更大的存储容量,其存储容量通常为Nor Flash的几十倍或几百倍,而且其制造成本也相对低廉,一般被用于大容量的数据存储。但是,由于NandFlash不支持嵌入式代码的本地执行,数据读出速度比较慢(但具有较快的数据写入速度),且Nand Flash的稳定性不够好,容易出现坏块,导致所存储的内容丢失。而如果在系统中发生代码丢失的情况,将使得整个系统的稳定性变得很差,因此现有技术中使用Nand Flash来存储嵌入式代码的方法都存在着稳定性差的缺点。
综上可知,由于现有技术中的存储嵌入式代码的方法具有如上所述的缺点,因此如何提出一种更好的存储嵌入式代码的方法,以可靠地存储嵌入式代码,是本领域中亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明提供了一种使用与非闪存存储嵌入式代码的方法,从而可以可靠地使用与非闪存来存储嵌入式代码。
本发明的技术方案包括:
一种使用与非闪存存储嵌入式代码的方法,该方法包括:
A、从与非闪存中读取嵌入式代码;
B、判断错误检查和纠正校验是否正确,如果正确,返回执行步骤A;否则,执行步骤C;
C、对代码进行ECC纠错,判断纠错是否成功,如果成功,返回执行步骤A;否则,读取下一个备份代码,返回执行步骤B。
其中,所述步骤A之前还包括:将代码备份到与非闪存不同的块中。
其中,所述步骤C中返回执行步骤A之前还进一步包括:对错误备份代码进行纠错更新。
其中,所述步骤C中读取下一个备份代码之前还进一步包括:
判断当前代码是否为最后一个备份代码,如果是,则报错,结束流程;否则,继续执行步骤C。
综上可知,本发明提供了一种使用与非闪存存储嵌入式代码的方法,可以使用与非闪存来存储嵌入式代码,从而提高嵌入式代码存储的稳定性。
附图说明
图1为本发明实施例中使用Nand Flash存储嵌入式代码的方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点表达得更加清楚明白,下面结合附图及具体实施例对本发明再作进一步详细的说明。
本发明的实施例提供了一种使用与非闪存存储嵌入式代码的方法。图1所示为本发明实施例中使用与非闪存存储嵌入式代码的方法的流程图,如图1所示,本发明的实施例中使用与非闪存存储嵌入式代码的方法包括如下所述的步骤:
步骤101,处理器启动后从Nand Flash中读取所存储的嵌入式代码。
在本步骤中,当处理器启动后,如果该处理器需要更新缓存中的嵌入式代码时,它将从Nand Flash中读取所需的嵌入式代码。
步骤102,判断错误检查和纠正(ECC,Error Checking and Correcting)校验是否正确,如果正确,则返回执行步骤101;如果不正确,则执行步骤103。
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