[发明专利]滤波屏蔽一体化组件的屏蔽效能测试方法在审
申请号: | 201210437381.0 | 申请日: | 2012-11-06 |
公开(公告)号: | CN102944779A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 宋博 | 申请(专利权)人: | 西安开容电子技术有限责任公司 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01R29/08 |
代理公司: | 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 | 代理人: | 张培勋 |
地址: | 710075 陕西省西安市高新区*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 滤波 屏蔽 一体化 组件 效能 测试 方法 | ||
1.滤波屏蔽一体化组件的屏蔽效能测试方法,它的设备至少包括专用转接板(3)、发射天线、接收天线、前置放大器(7)、接收设备(9)、信号源(8)、同轴线缆(10)和屏蔽室(11),其特征是:滤波屏蔽一体化组件(1)固定安装在专用转接板(3)上,专用转接板(3)与屏蔽室(11)的蒙板(2)搭接固定,并在搭接处加装金属丝网衬垫;信号源(8)通过同轴线缆(10)依次与前置放大器(7)和发射天线导通,它们设置在屏蔽室(11)外,发射天线顶端与滤波屏蔽一体化组件(1)间的距离为D;接收天线与接收设备(9)通过同轴线缆(10)导通,它们设置在屏蔽室(11)内,接收天线与滤波屏蔽一体化组件(1)间的距离为d;接收天线与发射天线分别从屏蔽室(11)的内、外两侧正对滤波屏蔽一体化组件(1)的中心;屏蔽室(11)单独接大地;这种滤波屏蔽一体化组件的屏蔽效能测试方法按照如下的步骤进行:
步骤1,测各部分泄漏点水平极化与垂直极化的射频泄漏量;信号源(8)发出信号,信号通过发射天线将入射波传入滤波屏蔽一体化组件(1),然后由接收天线接收,并在接收设备(9)得到各部分泄漏点水平极化与垂直极化的射频泄漏量;
步骤2,测天线水平极化和垂直极化的直通值;将专用转接板(3)上的滤波屏蔽一体化组件(1)拆除,其余各设备的位置保持与步骤(1)中的一致;然后进行测试,信号源(8)发出信号,信号通过发射天线将入射波传入,直接由接收天线接收,并在接收设备(9)得到天线水平极化和垂直极化的直通值;
步骤3,计算屏蔽效能;用步骤2中得到的直通值减去步骤1中的各部分泄漏点的射频泄漏量,水平极化与垂直极化对应相减,得到滤波屏蔽一体化组件(1)的屏蔽效能。
2.根据权利要求1中所述的滤波屏蔽一体化组件的屏蔽效能测试方法,其特征是:所述的滤波屏蔽一体化组件(1)在本发明中是被测器件,它是同时具有滤波和屏蔽两种功能的一体化组件;滤波屏蔽一体化组件(1)与专用转接板(3)固定,并根据实际情况选择是否加装导电衬垫。
3.根据权利要求1中所述的滤波屏蔽一体化组件的屏蔽效能测试方法,其特征是:所述专用转接板(3)是根据屏蔽室(11)的蒙板(2)与滤波屏蔽一体化组件(1)制作的转接板。
4.根据权利要求1中所述的滤波屏蔽一体化组件的屏蔽效能测试方法,其特征是:所述的接收天线与发射天线类型相同,是环形磁场天线(2)、半波振子天线(3)或微波喇叭天线(4);环形磁场天线(2)的频段为9KHz至30MHz的磁场频段,半波振子天线(3)的频段为100MHz至1GHz电场频段,微波喇叭天线(4)的频段为1GHz至40GHz平面波频段;发射天线固定在绝缘天线支架上。
5.根据权利要求1中所述的滤波屏蔽一体化组件的屏蔽效能测试方法,其特征是:所述的前置放大器(7)是能对9KHz至40GHz频段范围信号进行功率放大的放大器。
6.根据权利要求1中所述的滤波屏蔽一体化组件的屏蔽效能测试方法,其特征是:所述的接收设备(9)是接收机或频谱仪。
7.根据权利要求1中所述的滤波屏蔽一体化组件的屏蔽效能测试方法,其特征是:所述的信号源(8)是函数信号发生器、调制信号发生器或宽频信号源。
8.根据权利要求1中所述的滤波屏蔽一体化组件的屏蔽效能测试方法,其特征是:所述的同轴线缆(10)是满足9KHz至40GHz测试的同轴线缆。
9.根据权利要求1中所述的滤波屏蔽一体化组件的屏蔽效能测试方法,其特征是:所述的屏蔽室(11)是电测屏蔽室、屏蔽暗室或半电波暗室。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安开容电子技术有限责任公司,未经西安开容电子技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210437381.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于估计到达方向的方法和装置
- 下一篇:基底处理装置和方法