[发明专利]用于等离子体处理腔室内部的部件及制造方法

权利要求书

1.一种用于等离子体处理腔室内部的部件，其中，包括：

具有阳极化处理外表面的部件主体；

直接形成于所述阳极化处理外表面的一部分上的含氧化钇涂层；以及，

形成于所述阳极化处理外表面中没有覆盖含氧化钇涂层的部分的密封剂。

2.根据权利要求1所述的部件，其特征在于，所述阳极化处理外表面的的粗糙度为4um<Ra<12um。

3.根据权利要求1所述的部件，其特征在于，所述涂层包括氧化钇涂层。

4.根据权利要求3所述的部件，其特征在于，所述氧化钇涂层具有的表面粗糙度为Ra>1.0um，其孔隙度小于1%，并且为多层材料层结构。

5.根据权利要求1所述的部件，其特征在于，所述部件包括一涂覆了氧化钇涂层的气体喷淋头，其中，所述氧化钇涂层具有表面粗糙度Ra>1.0um，其孔隙度小于1%，并且具有多层材料层结构。

6.一种制造用于等离子体处理腔室的部件的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

制造一由铝或铝合金制成的部件；

阳极化处理所述部件以在所述部件上形成阳极化处理表面，其中，所述阳极化处理步骤并未执行密封步骤；

涂覆所述阳极化处理表面的一部分；

密封所述阳极化处理表面未涂覆涂层的部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述涂层利用含钇的材料形成。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述涂层包括氧化钇。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述涂层利用原子沉积在真空中形成。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述涂层在施加一偏执电压于所述部件时被涂覆。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，利用蒸发含钇的源材料以及保持反应性的和不反应性的气体组分的等离子体来执行涂覆所述涂层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，制得的所述涂层具有的表面粗糙度Ra>1.0um，孔隙度小于1%，并且其为多层材料层结构。

13.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在执行密封之前对所述涂层执行掩膜的步骤。

14.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法进一步地包括密封所述阳极化处理表面中未被含氧化钇涂层覆盖的部分。

15.一种制造用于等离子体处理腔室的部件的方法，所述方法包括如下步骤：

制造一由铝或铝合金制成的部件；

阳极化处理所述部件以在该部件表面形成一阳极化处理层，其中，阳极化处理步骤并未执行密封步骤；

利用如下步骤涂覆阳极化处理表面的选定区域：

执行物理沉积制程以沉积源材料于所述阳极化处理表面的选定区域；以及，

执行化学制程以用化学方式改变沉积于所述阳极化处理表面的所述源材料。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法进一步地包括：密封所述阳极化处理表面的未涂覆涂层的区域。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述方法进一步地包括：在所述密封步骤之前对所述涂层执行掩膜的步骤。

18.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述化学制程包括：维持等离子体接触于所述阳极化处理表面的所述选定区域，同时供应反应性或者非反应性气体于等离子体中。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述物理沉积制程包括：蒸发源材料以及凝结该蒸发的源材料于所述阳极化处理表面的所述选定区域上。

20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述源材料包括含钇材料。

21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述非反应性气体包括氩，所述反应性气体包括氧气和氟气之一。

22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述涂层具有一表面粗糙度Ra>1.0um，并为多层材料层结构。