[发明专利]去耦合元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210413243.9 申请日: 2012-10-25
公开(公告)号: CN103680991A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 潘苡秀;郑宇庭;蔡丽端;陈启伦 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01G9/26 分类号: H01G9/26;H01G9/008;H01G9/012
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 祁建国;梁挥
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 耦合 元件 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种去耦合元件,且特别是有关于一种具有较佳工艺良率的去耦合元件及其工艺方法。

背景技术

固态电解电容器具有小尺寸、大电容量、频率特性优越等优点,而可使用于中央处理器(Central Processing Unit,CPU)的电源电路的去耦合(Decoupling)作用上。

一般而言,可在平面导线架上堆叠多个电容单元来形成具有高电容量的固态电解电容器,藉以在中央处理器(CPU)的电源电路中实施为去耦合元件。在实务上,多个垂直堆叠的电容单元中的每一者都包括阳极部及阴极部。其中,所有阴极部彼此以导电胶做电性连接。另外,所有阳极部经由下拉(或弯折)而与平面导线架的同一平面的阳极端子部电性连接,且各阳极部之间以多层共焊方式连接。

然而,由于去耦合元件的阳极与阴极在制作时的厚度差异大,多层共焊阳极部有时会因为热应力问题,导致阳极断裂使有效电容下降;另外,如果焊点面积小,焊点容易氧化而绝缘化,造成有效连接数减少,导致有效电容量下降。

因此,如何提升去耦合元件的工艺良率是一个重要的议题。

发明内容

本发明提供一种去耦合元件,包括一以及至少一电容单元组。导线架包括一阴极端子部及至少两个阳极端子部。至少两个阳极端子部位于阴极端子部的两端而彼此对向的,阳极端子部通过导电线而彼此电性相连,其中阳极端子部其中之一于第一方向向外延伸为一延伸部,阳极端子部的延伸部并向第二方向弯折形成阳极侧板,而第一方向与第二方向相互垂直。至少一电容单元组包含多数个电容单元,电容单元组彼此相互并联于同一平面上且设置在导线架上,而各电容单元组所包含的电容单元于该第二方向以堆叠方式排列,且各电容单元具有一阴极部与一阳极部,阴极部电性连接到阴极端子部,阳极部于该第一方向电性连接到阳极侧板。

各所述电容单元的阳极部以导电胶或焊接方式电性连接至该阳极侧板。

该导线架的所述阳极侧板更包括至少一片以上的金属,用以与所述电容单元的阳极部于该第一方向电性连接。

各所述电容单元的阳极部分别更包括一套洞,用以与该阳极侧板于该第二方向电性连接。

至少一该阴极端子部位于所述电容单元的该阴极部的外部侧边。

至少一该阴极端子部于所述电容单元的阴极部的外部侧边于该第二方向弯折形成一阴极侧板。

至少一该阴极端子部位于所述电容单元的该阴极部的内部间隔中间。

该阴极端子以一字型或十字型电性连接该阴极部。

所述电容单元的阴极部分别以导电胶相互连接且堆叠于导线架上。

该阴极端子部更包括:一粗糙化结构,位于该第二方向的该阴极端子部的表面。

该电容单元,包括:一阀金属层;一介电层,形成于该阀金属层上;一导电高分子层,形成于该介电层上;以及一阴极导电层,形成于该导电高分子层上。

该阀金属层的材质选自于铝、钽、铌、氧化铌、钛及其组合。

该介电层为该阀金属层的金属氧化物。

该阴极导电层包括碳胶层与银胶层。

更包括:一绝缘层,设置于该导电线上方,该绝缘层使该阴极端子部与所述阳极端子部彼此电性绝缘。

本发明提供一种立体式导线架,用以承载至少一电容单元组,包括一阴极端子部、一导电线以及至少两个阳极端子部。阴极端子部具有一间隔。导电线位于间隔中。至少两个阳极端子部,位于阴极端子部的两侧而彼此对向,并通过导电线彼此电性相连,其中,阳极端子部其中之一于第一方向向外延伸为一延伸部,阳极端子部的延伸部并向一第二方向弯折形成阳极侧板,而第一方向与第二方向相互垂直。

该阴极端子部更包括至少两个子阴极端子部,且分别于该第二方向弯折各形成至少一阴极侧板。

至少一该阴极侧板与该立体式导线架为一整体结构。

至少一该阴极侧板为一金属或合金材料。

该阴极端子部于该第二方向的表面具有一粗糙结构。

该阳极侧板与该立体式导线架为一整体结构。

该阳极侧板为一金属或合金材料。

更包括一绝缘层,覆盖于一适当位置上,用以使所述阳极端子部与该阴极端子部电性隔离。

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