[发明专利]光刻设备和器件制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和用于制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。通常，集成电路(ICs)包括多个连续的层，它们通过应用不同的图案形成。在使用光刻设备应用两个连续的层之间，衬底通常在光刻设备的外部处理，例如在所谓的轨道设备中，其中晶片经历不同的热处理和其他处理。一旦已经处理晶片，则必须在可以应用下一次曝光过程之前调节晶片(尤其是热调节)。为了确保相对于较早的层在正确的位置上应用下一曝光中被应用的图案，必须满足温度偏离和一致性的严格的要求。

在传统的设备中，处理机器人被用来转移将要被处理的晶片和处理过的晶片至光刻设备和离开光刻设备。这种处理机器人通常配置有其他功能，例如在将这些晶片转移至光刻设备之前热调节由轨道设备接纳的晶片。

然而已经发现，以这种传统的处理机器人的方式热调节晶片不足以满足不断提高的要求，例如重叠。尤其地，在例如450mm晶片的大晶片的处理方面，预期当前的晶片热调节不足以满足将来温度偏移和温度一致性的要求。

发明内容

期望改进或促进在光刻设备中在晶片被曝光之前热调节晶片。

根据本发明的一个实施例，提供一种光刻设备，包括：衬底台，构造用以保持衬底；隔间，用于放置衬底台；热调节单元，布置成接纳将要被曝光的衬底；热调节衬底；和转移系统，配置成将热调节后的衬底转移至衬底台，其中，在将热调节后的衬底从热调节单元转移至衬底台期间所述衬底台和热调节单元布置在光刻设备的隔间内部。

根据本发明一个实施例，提供一种器件制造方法，包括步骤：提供包括热调节单元的光刻设备；由热调节单元接纳将要被曝光的衬底；热调节所述衬底；将热调节后的衬底转移至设置在光刻设备的隔间内的衬底台；所述衬底台和热调节单元在所述转移期间布置在所述设备的隔间内部；将图案化的辐射束投影到衬底上。

附图说明

现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：

图1示出了根据本发明一个实施例的光刻设备；

图2示出根据本发明一个实施例的用于运输衬底的结合部和光刻设备的一部分的通常的布局；

图3示出根据本发明一个实施例的用于运输衬底的结合部和光刻设备的一部分的通常的布局的俯视图；

图4示出根据本发明一个实施例的用于运输衬底的结合部和根据本发明一个实施例的光刻设备的一部分的布局；

图5示出用于运输衬底的结合部和根据本发明一个实施例的光刻设备的一部分的俯视图；

图6示出根据本发明一个实施例的可以应用在光刻设备中的热调节单元。

具体实施方式

图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或任何其他合适的辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连。所述设备还包括衬底台(例如晶片台)WT或“衬底支撑结构”，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连。所述设备还包括投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。