[发明专利]液晶显示装置无效

专利信息
申请号: 201210410154.9 申请日: 2012-10-24
公开(公告)号: CN103777419A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 谢耀联;欧阳祥睿;黄钰胜;吴青龙 申请(专利权)人: 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133;G09G3/36;G09G3/34
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 任默闻
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 液晶 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明是关于一种显示装置,特别是关于一种液晶显示装置。

背景技术

液晶显示(Liquid Crystal Display,LCD)装置以其耗电量低、发热量少、重量轻、以及非辐射性等等优点,已经被使用于各式各样的电子产品中,并且逐渐地取代传统的阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)显示装置。

一般而言,液晶显示装置主要包含一液晶显示面板(LCD Panel)以及一背光模块(Backlight Module)。其中,液晶显示面板主要具有一薄膜晶体管基板、一彩色滤光基板以及一夹设于两基板间的液晶层,且两基板与液晶层形成多个阵列设置的像素。背光模块可将一光源的光线均匀地分布到液晶显示面板,并经由各像素显示色彩而形成一图案。然而,由于各像素间的电压-穿透率曲线会随着使用者观看液晶显示面板的角度(例如正看及侧看)而有所不同,因此于不同视角观看显示面板时将会有色偏的现象产生。

为改善色偏现象,已有多种现有技术研发出来,其中大多的技术是将单一像素分成一亮区及一暗区,通过此两区正看及侧看的电压-穿透率曲线不同,而具有相互补偿的效果,以达到低色偏(Low Color Shift,LCS)的目的。然而,为使暗区产生较暗的亮度,需要在各像素中设置一额外的晶体管元件作为开关,且需额外扫描线以控制此元件的作动,因而使像素的开口率降低,也增加制造成本。

因此,如何提供一种液晶显示装置,能在改善色偏的同时,亦能使开口率提升并减少制造成本,实为当前重要课题之一。

发明内容

有鉴于上述课题,本发明的目的为提供一种液晶显示装置,其能够改善色偏,同时使开口率提升并减少制造成本。

为达上述目的,依据本发明的一种液晶显示装置包含多个像素、一扫描驱动电路以及一数据驱动电路。至少其中一像素具有一第一电容、一第二电容以及一补偿电容,第一电容经由一电阻元件与补偿电容电连接。扫描驱动电路经由多条扫描线驱动该等像素,其中一扫描线与一第一晶体管及一第二晶体管的栅极电连接。数据驱动电路经由多条数据线驱动该等像素,其中第一电容经由第一晶体管与一数据线电连接,第二电容经由第二晶体管与一数据线电连接。

在一实施例中,第一电容或第二电容包含一液晶电容与一储存电容。

在一实施例中,在第一晶体管被扫描线开启之后,第一电容与第一晶体管连接的一节点电压具有一准位变迁时间(level transition time),准位变迁时间从节点的一充电状态到一放电状态。准位变迁时间大于等于图框时间的二百分之一,并小于等于图框时间的二分之一。

在一实施例中,电阻元件的阻抗值为R,一图框时间为T,第一电容的电容值为C1,补偿电容的电容值为CT,阻抗值R符合下列方程式:

T/1400<RC<T/14,C=(C1*CT)/(C1+CT)。

在一实施例中,电阻元件的材质包含非晶硅、n+非晶硅或其组合。

为达上述目的,依据本发明的一种液晶显示装置包含多个像素、一扫描驱动电路以及一数据驱动电路。至少其中一像素具有一第一电容、一第二电容以及一补偿电容,第一电容经由一阻抗单元与补偿电容电连接。扫描驱动电路经由多条扫描线驱动该等像素,其中一扫描线与一第一晶体管及一第二晶体管的栅极电连接。数据驱动电路经由多条数据线驱动该等像素,其中第一电容经由第一晶体管与一数据线电连接,第二电容经由第二晶体管与一数据线电连接。阻抗单元的阻抗值为R,一图框时间为T,第一电容的电容值为C1,补偿电容的电容值为CT,阻抗值R符合下列方程式:

T/1400<RC<T/14,C=(C1*CT)/(C1+CT)。

在一实施例中,第一电容或第二电容包含一液晶电容与一储存电容。

在一实施例中,阻抗单元包含一电阻元件。

在一实施例中,阻抗单元包含一晶体管元件,晶体管元件栅极电连接于一共同电压。

在一实施例中,在第一晶体管被扫描线开启之后,第一电容与第一晶体管连接的一节点电压具有一准位变迁时间,准位变迁时间从节点的一充电状态到一放电状态。准位变迁时间大于等于图框时间的二百分之一,并小于等于图框时间的二分之一。

在一实施例中,阻抗单元的材质包含非晶硅、n+非晶硅或其组合。

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