[发明专利]包括石墨烯的光学调制器

权利要求书

1.一种光学调制器，包括：

第一石墨烯和第二石墨烯，在半导体层的上表面上，该第一石墨烯和该第二石墨烯具有彼此分离的各自的侧表面；

第一电极，在所述第一石墨烯上；以及

第二电极，在所述第二石墨烯上。

2.如权利要求1所述的光学调制器，其中所述第一石墨烯和所述第二石墨烯的至少之一具有弯曲结构，以覆盖包括在所述半导体层中的第一脊部的上表面和侧表面。

3.如权利要求1所述的光学调制器，还包括：

第一绝缘层，在所述半导体层和所述第一石墨烯之间；以及

第二绝缘层，在所述第一石墨烯和所述第二石墨烯之间。

4.如权利要求3所述的光学调制器，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的每个包括硅氧化物、铝氧化物、硅氮化物、硼氮化物和六方硼氮化物之一。

5.如权利要求3所述的光学调制器，其中所述第二绝缘层形成为1nm到100nm的厚度。

6.如权利要求3所述的光学调制器，其中所述半导体层包括第一脊部，且第二脊部形成在所述第二石墨烯上，所述第二脊部构造成面对所述第一脊部。

7.如权利要求6所述的光学调制器，还包括：

第三绝缘层，在所述第二石墨烯和所述第二脊部之间。

8.如权利要求7所述的光学调制器，其中所述第三绝缘层包括硅氧化物、铝氧化物、硅氮化物、硼氮化物和六方硼氮化物之一。

9.如权利要求6所述的光学调制器，其中所述半导体层包括硅、锗、硅-锗、III-V族半导体和II-IV族半导体之一。

10.如权利要求6所述的光学调制器，其中所述第二脊部和所述半导体层的所述第一脊部构成光波导，且所述第一石墨烯和所述第二石墨烯在垂直于所述半导体层的方向上形成于所述光波导的中心部分上。

11.如权利要求10所述的光学调制器，其中所述第一脊部是外延生长硅层，所述第二脊部是多晶硅层和非晶硅层之一。

12.如权利要求1所述的光学调制器，其中所述第一石墨烯和所述第二石墨烯的每个是单层石墨烯和双层石墨烯之一。

13.一种光学调制器，包括：

第一石墨烯和第二石墨烯，在半导体层的上表面上，所述第一石墨烯和所述第二石墨烯具有彼此分离的各自的侧表面且具有平行于所述半导体层的底表面的平面结构；

第一电极，在所述第一石墨烯上；以及

第二电极，在所述第二石墨烯上。

14.如权利要求13所述的光学调制器，还包括：

第一绝缘层，在所述半导体层和所述第一石墨烯之间；以及

第二绝缘层，在所述第一石墨烯和所述第二石墨烯之间。

15.如权利要求14所述的光学调制器，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的每个包括硅氧化物、铝氧化物、硅氮化物、硼氮化物和六方硼氮化物之一。

16.如权利要求14所述的光学调制器，其中所述第二绝缘层形成为1nm到100nm的厚度。

17.如权利要求14所述的光学调制器，其中所述半导体层包括第一脊部，第二脊部形成在所述第二石墨烯上，所述第二脊部构造成面对所述第一脊部。

18.如权利要求17所述的光学调制器，还包括：

第三绝缘层，在所述第二石墨烯和所述第二脊部之间。

19.如权利要求18所述的光学调制器，其中所述第三绝缘层包括硅氧化物、铝氧化物、硅氮化物、硼氮化物和六方硼氮化物之一。

20.如权利要求17所述的光学调制器，其中所述半导体层包括硅、锗、硅-锗、III-V族半导体和II-IV族半导体之一。

21.如权利要求17所述的光学调制器，其中所述第二脊部和所述半导体层的所述第一脊部构成光波导，所述第一石墨烯和所述第二石墨烯在垂直于所述半导体层的所述底表面的方向上形成在所述光波导的中心部分上。

22.如权利要求21所述的光学调制器，其中所述第一脊部是外延生长硅层，所述第二脊部是多晶硅层和非晶硅层之一。