[发明专利]一种全固态电储能器件的制备方法

权利要求书

1.一种全固态电储能器件的制备方法，其特征是，该制备方法包括以下步骤：

(1)制备负极。电极为金属铝或其合金；或采用真空蒸镀技术在酚醛树脂片或玻璃片表面蒸镀厚度为100nm的金属铜；

(2)制备电子存储材料。在步骤(1)制得的电极表面，采用真空蒸镀技术制备一层厚度为50nm～5μm的联苯醌、噻咯中的一种或几种的混合物；

(3)制备绝缘材料。在步骤(2)制得的电子存储材料层表面旋涂一层厚度100nm～5μm的二氧化硅和聚酰亚胺中的一种或两种的混合物；

(4)制备正电荷存储材料。在步骤(3)制得的绝缘材料层表面旋涂一层复合物，旋涂所用复合物溶液为二胺联苯(NPB)及其衍生物、三芳胺(TPD)及其衍生物、分子量为300～100000聚酚噻嗪类、聚对苯撑乙烯类、聚乙烯咔唑类聚合物中的一种或几种的混合物与掺杂剂一定配比组成的溶液；

(5)制备正极。在步骤(4)制得的器件经干燥固化后，在正电荷存储材料层表面真空蒸镀一层100nm厚的金属铝或金属铜，即得到本发明所述的全固态电储能器件。

2.根据权利要求1所述的全固态储能材料的制备方法，其特征在于步骤(4)中所述掺杂剂为SbCl₅、I₂、FeCl₃、2，3，5，6-四氟-7，7′，8，8′-四氰二甲基对苯醌(F4-TCNQ)以及三(4-溴苯基)六氯锑酸铵(TBAHA)的一种或几种的混合物。

3.根据权利要求1或2所述的全固态储能材料的制备方法，其特征在于所述掺杂剂占复合物总物质的量百分比为0.02％～50％。

4.根据权利要求1或2所述的全固态储能材料的制备方法，所述的溶剂为氯仿、二氯甲烷、溴乙烷、甲苯、己烷中的一种或几种的混合物。

5.根据权利要求1或2所述的全固态储能材料的制备方法，所述复合物溶液的质量百分比浓度为1～20％。

6.根据权利要求1或2所述的全固态储能材料的制备方法，其特征在于所制备的正电荷存储材料层厚度为200nm～15μm。