[发明专利]光罩、TFT玻璃基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器制造技术，特别是涉及一种光罩、TFT玻璃基板及其制造方法。

背景技术

随着液晶面板尺寸越来越大，为了达到更好的显示效果，像素电极设计所要求的线距（线距指附图3中相邻条状分支3之间的距离，条状分支3本身的宽度为线宽）也逐渐缩小，像素电极的线距也逐步从之前的5um-8um缩小至3um以下。受光刻及涂布显影设备能力的限制，目前业内基本可以达到3um水平（8.5代线）。但如何能够在2500mm*2200mm如此大的基板上，继续稳定且全面均一性很好的将生产能力提升至2.5um甚至2um，已成为高世代生产线中产品升级及良率提升的关键课题。

在目前的工艺技术下，当基板全面线距均值降至2.5um以下时，面板图形边缘区域的线距与面板中间区域的线距出现较明显的偏差，而由于光刻及涂布显影设备能力的限制，无法在相应位置进行调整处理，导致生产中该问题日益突出，且无法改善，并已成为产品升级及良率提升的瓶颈所在。

请参阅图1，图1是现有技术中一种TFT玻璃基板的结构示意图。如图1所示，TFT玻璃基板10上包括多个面板图形11，该多个面板图形11间隔阵列排列，除该多个面板图形11之外的区域是空白区12。

在现有技术中，该空白区12的光阻均接受曝光，并通过与显影液反应而溶解。在显影液均匀的铺满TFT玻璃基板10表面与经曝光的光阻反应时，该空白区12的显影液需反应的光阻会比面板图形11边缘区域的显影液需反应的光阻多。在显影液铺满TFT玻璃基板10之后，整个TFT玻璃基板10上面的显影液基本不再流动，而空白区12的显影液由于需反应的光阻较多，其浓度降低明显，并与面板图形11边缘区域的显影液浓度形成浓度差，由于扩散效应，使得贴近空白区12的面板图形11边缘区域显影效果不足，进而使得像素电极的线距偏小，对于正光阻而言，显影不足时，像素电极的线宽会偏大，线距会偏小。

请一并参阅图2，图2是图1所示的TFT玻璃基板的线距分布示意图。图2中所示的横轴是测量点位，纵轴是线距测量值。其中，圆圈内的位置是面板图形11边缘区域的像素电极的线距测量值，从图上容易看出，面板图形11边缘区域的像素电极的线距偏小，相对波动较大。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种光罩、TFT玻璃基板及其制造方法，以解决面板图形边缘区域的像素电极的线距偏小，相对波动较大的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种光罩，用于TFT基板制造的曝光步骤中部分地阻挡紫外线，包括：

面板图形形成区，用于形成面板图形；及

附加图形形成区，设于面板图形形成区边缘，用于在面板图形边缘形成附加图形。

其中，面板图形具有面板微结构，附加图形具有附加微结构。

其中，附加微结构与面板微结构为相同的微结构。

其中，附加微结构为面板微结构的延伸。

其中，附加图形为矩形框、锯齿框或波纹框。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种制造TFT玻璃基板的方法，包括以下步骤：

对玻璃基板进行洗净；

对玻璃基板进行沉积薄膜；

对玻璃基板进行光阻涂布；

对玻璃基板进行曝光，形成面板图形并在面板图边缘形成附加图形；

对玻璃基板进行显影；

对玻璃基板进行蚀刻；

对玻璃基板进行剥膜；及

对玻璃基板进行切割完成TFT玻璃基板制造。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种TFT玻璃基板，经曝光后制得，包括：

面板图形；及

附加图形，位于面板图形边缘；

附加图形非完全曝光，使得面板图形边缘处可参与显影反应的光阻减少。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过曝光步骤中在面板图形边缘增设附加图形，使得面板图形边缘处可参与显影反应的光阻减少，由此可提升面板图形边缘处的微结构特征与面板图形中间处的微结构特征具的均一性，改善面板图形边缘区域的像素电极的线距偏小，相对波动较大的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：

图1是现有技术中一种TFT玻璃基板的结构示意图；