[发明专利]低功耗的平方电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种对信号进行平方处理电路。

背景技术

现有的平方器所采用的方法是将内部为吉尔伯托单元或者对数-指数函数发生器的模拟乘法器的两个输入短接实现平方功能。这两种结构的平方器中采用吉尔伯托结构的线路结构复杂、功耗大，很难通过分立器件实现；利用对数-指数函数发生器结构的平方器对元器件匹配度要求高、集成化难以实现。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种低功耗的平方电路，它可以降低线路复杂程度减小成本；降低功耗，减小供电系统的负荷。

为了解决以上技术问题，本发明提供了一种低功耗的平方电路；包括：信号检测电路，信号检测电路连接检测信号输入端；偏置电路，偏置电路连接至信号检测电路；MOS管，MOS管栅极连接偏置电路；电流电压转化电路，电流电压转化电路连接MOS管，输出与检测信号平方成正比的电压信号。

本发明的有益效果在于：采用本线路结构后，降低线路复杂程度减小了成本；降低了功耗，减小了供电系统的负荷；线路通过分离器件或者集成电路均可实现，应用更灵活、方便。

通过偏置电路将MOS管栅初始电平设置为V_GS=V_TH。

利用检测线路将需要检测的信号叠加到MOS管的栅上。

再通过电流电压转化电路输出一个与检测信号平方成正比的电压信号。

所述平方电路通过分离器件组合而成或为集成电路。

平方电路初始态时刻：设置偏置即(V_GS-V_TH)＝0；当Vin>0时，根据和利用MOS管饱和区公式ID=12μcoxWL(VGS-VTH)2;]]>计算得到PMOS管的电流ID=12μcoxWL[Vin*R1*R2(R1+R1)R0]2=K*Vin2,]]>其中K=12μcoxWL[R1*R2R0(R1+R2)]2,]]>输出电压Vo=ID*R3=K*R3*Vin2.]]>