[发明专利]低功耗的平方电路

权利要求书

1.一种低功耗的平方电路；其特征在于，包括：

信号检测电路，信号检测电路连接检测信号输入端；

偏置电路，偏置电路连接至信号检测电路；

MOS管，MOS管栅极连接偏置电路；

电流电压转化电路，电流电压转化电路连接MOS管，输出与检测信号平方成正比的电压信号。

2.如权利要求1所述的低功耗的平方电路，其特征在于，通过偏置电路将MOS管栅初始电平设置为V_GS=V_TH。

3.如权利要求2所述的低功耗的平方电路，其特征在于，利用检测线路将需要检测的信号叠加到MOS管的栅上。

4.如权利要求3所述的低功耗的平方电路，其特征在于，再通过电流电压转化电路输出一个与检测信号平方成正比的电压信号。

5.如权利要求4所述的低功耗的平方电路，其特征在于，所述平方电路通过分离器件组合而成。

6.如权利要求4所述的低功耗的平方电路，其特征在于，所述平方电路为集成电路。

7.如权利要求1至6中任何一项所述的低功耗的平方电路，其特征在于，平方电路初始态时刻：设置偏置即(V_GS-V_TH)＝0；当Vin>0时，根据和利用MOS管饱和区公式ID=12μcoxWL(VGS-VTH)2;]]>

计算得到PMOS管的电流ID=12μcoxWL[Vin*R1*R2(R1+R1)R0]2=K*Vin2,]]>其中K=12μcoxWL[R1*R2R0(R1+R2)]2,]]>输出电压Vo=ID*R3=K*R3*Vin2.]]>