[发明专利]兼容BioFET的CMOS

权利要求书

1.一种BioFET器件，包括：

衬底；

栅极结构，设置于所述衬底的第一表面上；

隔离层，设置于所述衬底的第二表面上，所述第二表面与所述第一表面相对，其中，所述隔离层包括开口；以及

界面层，形成于所述开口中的所述衬底的所述第二表面上。

2.根据权利要求1所述的BioFET器件，其中，所述界面层包括用于生物分子结合的材料。

3.根据权利要求2所述的BioFET器件，其中，所述界面材料选自由SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、TiO₂、HfO₂、Ta₂O₅、TiN、SnO、SnO₂、Pt、Cr、Au、Al、W、Cu以及它们的组合所组成的组。

4.根据权利要求1所述的BioFET器件，还包括：

流体沟道，设置于所述隔离层上。

5.根据权利要求1所述的BioFET器件，还包括：

多层互连件(MLI)，设置于所述衬底的所述第一表面上。

6.根据权利要求5所述的BioFET器件，其中，所述MLI包括层间介电(ILD)层。

7.根据权利要求6所述的BioFET器件，其中，承载衬底接合至设置于所述ILD层上的钝化层。

8.根据权利要求1所述的BioFET器件，还包括：

至少一个受体，设置于所述界面层上。

9.一种提供BioFET器件的方法，包括：

在半导体衬底上形成FET器件，其中，所述FET器件包括形成于所述半导体衬底的第一表面上的栅极结构并且包括沟道区域；

在设置于所述半导体衬底的第二表面上的隔离层中提供开口，所述第二表面与所述第一表面平行并且相对，其中，所述开口暴露所述FET器件的所述沟道区域，所述沟道区域包括所述半导体衬底的所述第二表面的部分；以及

在所述开口中的所述半导体衬底的所述第二表面的所述沟道区域上形成界面材料。

10.一种器件，还包括：

第一BioFET器件，包括：

栅极结构，形成于衬底上；

源极区域和漏极区域，形成在与所述栅极结构相邻的所述衬底中；

沟道区域，介于所述源极区域与所述漏极区域之间并且位于所述栅极结构下方；以及

界面层，设置于所述沟道区域上，其中，所述界面层设置于所述沟道区域的第一表面上而所述栅极结构设置于所述沟道区域的相对第二表面上，所述界面层用于提供用于生物实体的结合界面；以及

读出放大器，耦合至所述第一BioFET器件。