[发明专利]等离子体反应机台有效

专利信息
申请号: 201210381362.0 申请日: 2012-10-10
公开(公告)号: CN102856151A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 杨总胜;王春盛;江舜彦 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张艳杰;张浴月
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 反应 机台
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种等离子体反应机台,特别涉及一种能改善腔体流场的等离子体反应机台。

背景技术

以往等离子体反应机台上的平台,在工艺腔体(Process Chamber,PC)进片后,高压气流吹入工艺腔体内,再由帮浦(pump)所抽走。在公知的平台中,吸出口只设置于平台的角落,导致气流路径较长,气流路径越长其气阻会越高,气阻造成气体流速降低,使得尘粒在经过平台上方区域时即沉降,并掉落在玻璃上而产生残余物。

另一种情况是,在通工艺气体时,在初期冲压达工艺压力的状况,冲压时自动调压阀全关而工艺气体吹入。当工艺气体吹入平台下方而夹带积于平台下方处的工艺生成物或是尘粒扰动而飘散,工艺生成物或是尘粒亦跟着气体方向扰动而掉落至玻璃上,使得在后续的工艺中持续产生残余物。

再者,在工艺腔体进行蚀刻时,所吹入工艺气体经等离子体解离后,蚀刻并产生生成物。传统等离子体反应机台上的平台的四角出口对于玻璃产生生成物后,因路径长短差异性大,因此对于抽走生成物的效率有差异,经常导致生成物未被带走而残留于玻璃上,而遮蔽到原本应该继续刻蚀的位置,而产生刻蚀残留残余物。因此,如何改良等离子体反应机台上腔体流场,使其减少残余物影响,为本申请的发明人以及从事此相关行业的技术领域者亟欲改善的课题。

发明内容

有鉴于此,为解决现有技术存在的问题,本发明提出一种等离子体反应机台,包含:腔体、平台及缓冲组件。腔体具有容置空间;平台,设置于腔体内;缓冲组件,设置于腔体内且邻近平台的侧边,缓冲组件与平台共同将容置空间区隔为第一空间与第二空间,并且部分与侧边形成气体通道,气体通道由第一空间朝第二空间的方向呈渐扩状而连通第一空间与第二空间。

此外,缓冲组件包含本体部与倾斜部,倾斜部的一端连接于本体部,另一端朝向平台倾斜延伸。其中倾斜部与平台之间形成气体通道,而倾斜部与平台之间的夹角为介于15°至75°之间。

再者,本发明的等离子体反应机台还包含抽气单元位于腔体,抽取气体由第二空间朝第一空间的方向流动。其中缓冲组件还包含遮蔽部,对应抽气单元设置并连接于倾斜部,倾斜部未连接于本体部的一端与平台之间形成开口,开口位于遮蔽部的两端,其中距离遮蔽部较远的开口宽度大于距离遮蔽部较近的开口宽度。

本发明亦提出一种等离子体反应机台,包含:腔体、平台及至少一缓冲组件。腔体,具有底面以及至少一侧壁面,底面以及至少一侧壁面围出容置空间;平台,设置于腔体内;及至少一缓冲组件,设置于平台与至少一侧壁面之间,缓冲组件具有导流面,且导流面靠近平台的一端与底面的间距小于导流面远离平台的一端与底面的间距。

其中缓冲组件与平台共同将容置空间区隔为第一空间与第二空间。再者,缓冲组件包含本体部与倾斜部,倾斜部的一端连接于本体部,另一端朝向平台倾斜延伸。倾斜部与平台之间形成气体通道。

此外,本发明的等离子体反应机台还包含抽气单元位于腔体,抽取气体由第二空间朝第一空间的方向流动。其中缓冲组件还包含遮蔽部,对应抽气单元设置并连接于倾斜部,倾斜部未连接于本体部的一端与平台之间形成开口,开口位于遮蔽部的两端,其中距离遮蔽部较远的开口大于距离遮蔽部较近的开口。

本发明以缓冲组件将腔体内的容置空间区隔为第一空间及第二空间,并以缓冲组件与平台的侧边界定出气体通道,其中,气体通道由第一空间朝第二空间的方向为渐扩状,使得气体易于由第二空间向第一空间流动,但却较难反向流动,因此,当空气反向流动(第一空间向第二空间流动)时,工艺生成物堆积于缓冲组件的本体部处,而不会累积于平台上。

以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点,其内容足以使任何本领域普通技术人员了解本发明的技术内容并据以实施,且根据本说明书所公开的内容、权利要求及附图,任何本领域普通技术人员可轻易地理解本发明相关的目的及优点。

附图说明

图1为本发明等离子体反应机台的示意图。

图2为本发明等离子体反应机台第一实施例的俯视图。

图3A为本发明等离子体反应机台第一实施例的剖面图(一)。

图3B为本发明等离子体反应机台第一实施例的剖面图(二)。

图3C本发明等离子体反应机台第一实施例的局部放大图。

图4A为本发明等离子体反应机台第二实施例的剖面图(一)。

图4B为本发明等离子体反应机台第二实施例的剖面图(二)。

图4C为本发明等离子体反应机台第二实施例的局部放大图。

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