[发明专利]双面镀膜玻璃及其制备方法有效
申请号: | 201210380118.2 | 申请日: | 2012-09-29 |
公开(公告)号: | CN102909918A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 郑芳平;张迅 | 申请(专利权)人: | 江西沃格光电科技有限公司 |
主分类号: | B32B17/06 | 分类号: | B32B17/06;C03C17/34 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 338004 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 镀膜 玻璃 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及玻璃工艺领域,特别是涉及一种双面镀膜玻璃及其制备方法。
背景技术
目前大部分液晶显示用玻璃镀膜产品所镀的膜层为SiO2+ITO膜层,这样镀膜出来的产品,在550nm处透过率约为90%,镀膜前后透过率的比值为97%左右,视觉效果较差,大部分液晶显示用玻璃厂家都可以做到这种质量的触摸屏产品,由于技术指标较低,在日益激烈的触摸屏行业竞争处于越来越不利的地位,随着人们对视觉品质的不断追求,生产更高透过率的触摸屏产品将拥有更大得市场。
发明内容
基于此,有必要提供一种透过率较高的双面镀膜玻璃及其制备方法。
一种双面镀膜玻璃,包括玻璃基板,在所述玻璃基板的一面设有第一增透膜层,在所述玻璃基板的另一面依次层叠有第二增透膜层及ITO膜层;
其中,所述第一增透膜层包括依次层叠于所述玻璃基板一面上的第一Nb2O5膜层、第一SiO2膜层、第二Nb2O5膜层及第二SiO2膜层;
所述第二增透膜层包括依次层叠于所述玻璃基板另一面上的第三Nb2O5膜层、第三SiO2膜层、第四Nb2O5膜层及第四SiO2膜层。
在其中一个实施例中,所述玻璃基板为TFT玻璃。
在其中一个实施例中,所述TFT玻璃的厚度为0.2mm~1mm。
在其中一个实施例中,所述第一Nb2O5膜层及所述第三Nb2O5膜层的厚度为12nm~14nm;所述第二Nb2O5膜层及所述第四Nb2O5膜层的厚度为110nm~114nm。
在其中一个实施例中,所述第一SiO2膜层及所述第三SiO2膜层的厚度为30nm~34nm;所述第二SiO2膜层的厚度为83nm~86nm;所述第四SiO2膜层的厚度为54nm~57nm。
在其中一个实施例中,所述ITO膜层的厚度为12nm~16nm。
一种双面镀膜玻璃的制备方法,包括以下步骤:
采用磁控溅射镀膜的方法,在玻璃基板的一面上依次形成第一Nb2O5膜层、第一SiO2膜层、第二Nb2O5膜层及第二SiO2膜层,以形成第一增透膜层;
采用磁控溅射镀膜的方法,在玻璃基板的另一面上依次形成第三Nb2O5膜层、第三SiO2膜层、第四Nb2O5膜层及第四SiO2膜层,以形成第二增透膜层;及
采用磁控溅射镀膜的方法,在所述第二增透膜层上形成ITO膜层,即得双面镀膜玻璃。
在其中一个实施例中,所述第一Nb2O5膜层及所述第三Nb2O5膜层的厚度为12nm~14nm;所述第二Nb2O5膜层及所述第四Nb2O5膜层的厚度为110nm~114nm;所述第一SiO2膜层及所述第三SiO2膜层的厚度为30nm~34nm;所述第二SiO2膜层的厚度为83nm~86nm;所述第四SiO2膜层的厚度为54nm~57nm;所述ITO膜层的厚度为12nm~16nm。
在其中一个实施例中,所述第一增透膜层及所述第二增透膜层的磁控溅射镀膜工艺包括:将磁控溅射镀膜的镀膜箱抽真空,后向所述镀膜箱内充入氩气及氧气至真空度为0.4Pa~0.6Pa,在室温下进行镀膜。
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