[发明专利]具有多个温度传感器的动态随机存取存储器及其控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及动态随机存取存储器(DRAM)，且特别涉及动态随机存取存储器的数据保留(data retention)能力。

背景技术

随着装置尺寸微缩，动态随机存取存储器(DRAM)控制器可叠置于动态随机存取存储器的一储存阵列之上或与其重叠。DRAM控制器的热度可能会显著影响储存单元的温度。储存单元的温度提升会导致漏电流产生，致使该动态随机存取存储器控制器之上/下的储存单元所储存的数据受损。

发明内容

有鉴于此，为解决现有技术的问题，本发明公开一动态随机存取存储器(DRAM)与其控制方法。

根据本发明一种实施方式所实现的一动态随机存取存储器具备多区温度检测功能。该动态随机存取存储器具有多个存储器库(banks)、多个温度传感器、以及一控制单元。所述多个温度传感器布置于所述多个存储器库之间。该控制单元控制所述多个温度传感器取得感测温度，且基于最高的感测温度设定一自刷新周期(self-refresh cycle)供所有存储器库使用。

根据另外一种实施方式，以下讨论一动态随机存取存储器控制方法；所控制的动态随机存取存储器包括布置于该动态随机存取存储器多个存储器库的多个温度传感器。根据所公开的动态随机存取存储器控制方法，所述多个温度传感器取得感测温度，并且，所有存储器库的自刷新周期基于最高的感测温度而设定。

本发明可以保证储存单元中的数据安全。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图，详细说明如下。

附图说明

图1图解根据本发明一种实施方式所实现的一动态随机存取存储器100以及一动态随机存取存储器控制器108；

图2图解根据本发明一种实施方式所实现的一温度传感器控制电路104；

图3为流程图，图解该温度补偿自刷新电路208如何处理所取得的感测温度(由最高温的温度传感器所感测)、且如何据以自刷新该动态随机存取存储器100的中所有存储器库；以及

图4为流程图，图解该温度补偿自刷新电路208如何处理一选定未屏蔽存储器库的感测温度，且随之对该选定未屏蔽存储器库执行一部分阵列自刷新操作。

【主要附图标记说明】

100~动态随机存取存储器；

102~控制单元；

104~温度传感器控制电路；

106~模式暂存器；

108~动态随机存取存储器控制器；

202~解码器；

2041-2044~逻辑及栅；

206~状态暂存器的读取暂存器(SSR register)；

208~温度补偿自刷新电路；

BANK1…BANK4~存储器库；

D1-D4~解码位元；

DQs~数据输入/输出线；

S302-S306与S402-S406~步骤；

TS1…TS4~温度传感器；

TS_add~温度传感器地址；

TSEN~温度感测使能信号。

具体实施方式

以下介绍本发明的多种实施方式。以下叙述作用来说明本发明内容，但非意图限定本发明范围。本发明范围请参考权利要求部分。

图1图解根据本发明一种实施方式所实现的一动态随机存取存储器(DRAM)100以及一动态随机存取存储器控制器108。该动态随机存取存储器100包括多个存储器库BANK1至BANK4、多个温度传感器TS1至TS4以及一控制单元102。温度传感器TS1至TS4布置于存储器库BANK1至BANK4之间。控制单元102控制所述多个温度传感器TS1至TS4感测温度，且自所述多个温度传感器TS1至TS4取得多个感测温度。根据所述多个感测温度中最高者，控制单元102设定一自刷新周期(self-refresh cycle)供所有存储器库BANK1至BANK4使用。根据该自刷新周期，一自刷新操作施行于整个动态随机存取存储器100(遍及存储器库BANK1至BANK4)，该自刷新操作有关于存储器的数据保留(data retention)能力。如此一来，最差温度环境所导致的最严重漏电流问题已被考虑在存储器操作中，存储器的数据保留能力可被确保在一定水准。