[发明专利]包括相位差检测像素的成像装置有效
申请号: | 201210378093.2 | 申请日: | 2012-10-08 |
公开(公告)号: | CN103037161B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 浜田正隆 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H04N5/232 | 分类号: | H04N5/232;H04N5/369;H04N9/04 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电转换像素 相位差检测 成像装置 像素 检测相位差 彼此相对 捕获图像 屏幕区域 缺陷像素 拍摄 二维 电路 开口 图像 | ||
1.一种成像装置,所述成像装置包括:
多个像素,被二维布置以捕获图像并检测相位差;
第一光电转换像素行;以及
第二光电转换像素行,
其中,在第一光电转换像素行的每个光电转换像素中形成的晶体管电路位于像素开口的第一侧,在第二光电转换像素行的每个光电转换像素中形成的晶体管电路位于像素开口的与第一侧相对的第二侧。
2.如权利要求1所述的成像装置,其中,成像装置的所有像素输出用于获取相位差的信号。
3.如权利要求1所述的成像装置,其中,针对用于相位差检测的多个像素中的每个像素而形成的电路包括从由传输电路、复位电路、放大电路和配线电路构成的组中选择的至少一个。
4.如权利要求1所述的成像装置,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被布置为使得微透镜形成在多个光电转换像素的每一个上,并且开口形成在微透镜和光电转换单元之间,其中,开口相对于微透镜的光轴被偏心地形成,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行处于彼此相反的方向上。
5.如权利要求1所述的成像装置,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被布置为使得掩模形成在除了多个光电转换像素被形成的区域之外的区域中。
6.如权利要求1所述的成像装置,其中,构成第一光电转换像素行和第二光电转换像素行中的每一个的像素由滤色器形成,其中,所述像素以Bayer模式被配置以形成Bayer模式像素单元,其中,Bayer模式像素单元构成第一光电转换像素行和第二光电转换像素行中的每一个。
7.一种成像装置,所述成像装置包括:
多个像素,被二维布置以捕获图像并检测相位差;
第一光电转换像素行;以及
第二光电转换像素行,
其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被布置为使得以Bayer模式布置的每四个像素形成的电路处于相位差检测方向上,
其中,在第一光电转换像素行的每个光电转换像素中形成的晶体管电路位于像素开口的第一侧,在第二光电转换像素行的每个光电转换像素中形成的晶体管电路位于像素开口的与第一侧相对的第二侧。
8.如权利要求7所述的成像装置,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被布置为使得掩模形成在除了多个光电转换像素被形成的区域之外的区域中。
9.一种成像装置,所述成像装置包括:
多个像素,被二维地布置以捕获图像并检测相位差;
第一光电转换像素行;以及
第二光电转换像素行,
其中,在第一光电转换像素行的每个光电转换像素中形成的晶体管电路位于像素开口的第一侧,在第二光电转换像素行的每个光电转换像素中形成的晶体管电路位于像素开口的与第一侧相对的第二侧,并且多个光电转换像素共享在所述多个光电转换像素的每一个中形成的晶体管电路的放大电路或复位电路。
10.如权利要求9所述的成像装置,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被布置为使得掩模形成在除了所述多个光电转换像素被形成的区域之外的区域中。
11.一种成像装置,所述成像装置包括:
多个像素,被二维地布置以捕获图像并检测相位差;
第一光电转换像素行;以及
第二光电转换像素行,
其中,在第一光电转换像素行的每个光电转换像素中形成的晶体管电路位于像素开口的第一侧,在第二光电转换像素行的每个光电转换像素中形成的晶体管电路位于像素开口的与第一侧相对的第二侧,
并且在不执行相位差检测的每个像素中形成的电路相对于像素开口沿相同的方向布置。
12.如权利要求11所述的成像装置,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被布置为使得微透镜形成在所述多个像素的每一个上,其中,开口形成在微透镜和光电转换单元之间,其中,开口相对于微透镜的光轴被偏心地形成,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行沿彼此相反的方向。
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