[发明专利]等离子体反应腔清洗装置及其等离子体反应腔清洗方法

权利要求书

1.一种等离子体反应腔清洗装置（1），该装置的部分结构从外向内贯通等离子体刻蚀设备的反应腔壁（2），所述等离子体刻蚀设备反应腔壁（2）包覆等离子体设备反应腔（9）内部工作空间，该腔壁（2）内设置有上电极组件（3）、下电极组件（4），上电极组件（3）包含气体喷头（32）和依次设置在气体喷头（32）周围的顶部接地环（33）、可动限制环（34），所述下电极组件（4）与等离子体刻蚀设备的射频电源相连接；其特征在于，所述的等离子体反应腔清洗装置（1）包含多个输气管(11)，多个所述的输气管(11)间隔地从外向内贯通等离子体刻蚀设备反应腔(9)的腔壁(2)，多个所述的输气管（11）的延伸部分与腔壁（2）的侧壁形成夹角；通过多个所述的输气管（11）将具有清洁能力的气体倾斜输入反应腔（9），所述气体被下电极组件（4）电离为等离子体（71），通过多个所述的输气管（11）持续输入的气体搅动等离子体（71）形成涡流，清洗反应腔（9）。

2.如权利要求1所述的等离子体反应腔清洗装置（1），其特征在于，多个所述的输气管（11）水平放置。

3.如权利要求1所述的等离子体反应腔清洗装置（1），其特征在于，多个所述的输气管（11）设置在顶部接地环（33）上。

4.如权利要求1所述的等离子体反应腔清洗装置（1），其特征在于，多个所述的输气管（11）设置在可动限制环（34）上。

5.如权利要求1所述的等离子体反应腔清洗装置（1），其特征在于，多个所述的输气管（11）设置在腔壁（2）的侧壁上。

6.如权利要求1所述的等离子体反应腔清洗装置（1），其特征在于，所述的等离子体反应腔清洗装置（1）还包含多个调节阀（12），各个所述的调节阀（12）分别设置在各输气管（11）上。

7.如权利要求1所述的等离子体反应腔清洗装置（1），其特征在于，所述的等离子体反应腔清洗装置（1）至少还包含一个快速调节阀（12）和总输气管道，所述的快速调节阀（12）设置在总输气管道上，各所述的输气管（11）并接到总输气管道。

8.一种等离子体反应腔清洗方法，用于权利要求1所述的等离子体反应腔清洗装置（1），其特征在于，所述清洗方法包含以下步骤：

步骤1，通过气体喷头（32）向等离子体反应腔（9）内输入具有清洁能力的气体；

步骤2，通过所述等离子体反应腔清洗装置（1）向反应腔（9）内输入具有清洁能力的气体；

步骤3，通过步骤1和步骤2输入到反应腔（9）内的气体被通过下电极组件（4）的高频射频电源电离为等离子体（71）；气体电离的同时继续不断通过所述等离子体反应腔清洗装置（1）向反应腔（9）内输入气体，由于所述的多个输气管（11）的延伸部分与腔壁（2）的侧壁形成夹角，通过多个输气管（11）输入的气体使反应腔（9）内的等离子体（71）形成涡流；反应腔（9）内混乱的等离子体涡流剧烈运动，等离子体（71）接触到反应腔（9）内的各个部位，与沉积的聚合物发生反应进行清洗，由于形成涡流的等离子体（71）运动非常剧烈，反应腔（9）内难清洗的部位也被清洗到；

步骤4，所述的多个输气管（11）上设置有快速调节阀（12），调节快速调节阀（12）控制气流输入，产生气体脉冲，使反应腔（9）内的等离子体涡流更剧烈；反应腔（9）内混乱的等离子体涡流更剧烈地运动，等离子体（71）更好地接触到反应腔（9）内的各个部位，与沉积的聚合物发生反应进行清洗，由于形成涡流的等离子体（71）运动非常剧烈，反应腔（9）内难清洗的部位被更好地清洗；

步骤5，清洗过程结束后，反应腔（9）内的等离子体（71）中和为气体（72），通过反应腔（9）外部的排气泵排出。

9.如权利要求8所述的等离子体反应腔清洗方法，其特征在于，所述步骤3气体电离、持续输入气体和步骤4调节快速调节阀控制气流输入为同时进行。

10.如权利要求8所述的等离子体反应腔清洗方法，其特征在于，所述等离子体反应腔清洗时间常规设为20-120秒。