[发明专利]一次扩散法制备选择性发射极电池的方法

权利要求书

1.一次扩散法制备选择性发射极电池的方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)选用P型硅片，采用硅片制绒工艺对其进行表面去损伤层及织构化；

(2)将步骤(1)制绒后的硅片完全浸泡在有机硅凝胶溶液中使二氧化硅附着于硅片上；

(3)选择性去除硅片二氧化硅层，并清洗、烘干带二氧化硅掩膜硅片；

(4)将步骤(3)烘干后的带二氧化硅层硅片置于扩散炉管内，通过N₂作为载体导入扩散炉管，以三氯氧磷作为扩散源，进行磷离子扩散；

(5)采用湿化学刻蚀法去除扩散后硅片边缘及背面的PN结，完成后用酸去除硅片表面磷硅玻璃；

(6)使用等离子化学气相沉淀法对刻蚀后的硅片镀减反射膜；

(7)套印、烧结。

2.根据权利要求1所述的一次扩散法制备选择性发射极电池的方法，其特征在于步骤(2)中使用有机硅凝胶溶液浸泡制绒后硅片，持续5s后在50-300℃温度下风干，持续5min，形成二氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的一次扩散法制备选择性发射极电池的方法，其特征在于步骤(3)中选择性去除硅片二氧化硅层为：采用丝网印刷技术，通过印刷HF酸浆料，在硅片表面印刷电池片图案，完成后持续2min腐蚀时间，然后使用去离子水冲洗表面印刷出的腐蚀浆料，得到选择性腐蚀的带二氧化硅掩膜硅片。

4.根据权利要求1所述的一次扩散法制备选择性发射极电池的方法，其特征在于步骤(4)中N₂流量为2000sccm，扩散温度790℃下进行磷原子扩散，扩散时间20min。

5.根据权利要求1所述的一次扩散法制备选择性发射极电池的方法，其特征在于步骤(5)所述的酸为质量浓度为49%的氢氟酸。

6.根据权利要求1所述的一次扩散法制备选择性发射极电池的方法，其特征在于步骤(6)中镀减反射膜的工艺条件为：反应温度450℃，高频电源功率为6000W，频率3000Hz，真空压力1700mTorr，氨气与硅烷体积比为11：1，沉积时间持续15min。

7.根据权利要求1或6所述的一次扩散法制备选择性发射极电池的方法，其特征在于步骤(6)中所制备的减反射膜膜厚度为70-75nm。

8.根据权利要求1所述的一次扩散法制备选择性发射极电池的方法，其特征在于步骤(7)中烧结温度为820℃，烧结炉皮带速度为5800mm/min。