[发明专利]用于射频识别的基准电压电路

权利要求书

1.一种用于射频识别的基准电压电路，包括：

一启动电路，用于完成所述基准电压电路的启动；

一正温度系数基准电路，与所述启动电路相连接，用于产生第一偏置电流，并随温度的升高而升高；其特征在于，还包括：

一负温度系数基准电路，与所述正温度系数基准电路相连接，用于产生第二偏置电流，并随温度的升高而降低，对所述正温度系数基准电路进行补偿；

一偏置电压电路，分别与所述正温度系数基准电路和负温度系数基准电路相连接，将所述第一偏置电流和第二偏置电流按一定比例设置，并最终产生基准电压。

2.如权利要求1所述的基准电压电路，其特征在于：所述启动电路由一电容（C1）、第一NMOS管（M1）和第二NMOS管（M2）构成；电容（C1）的一端与电源电压（VDD）连接，另一端与所述第一NMOS管（M1）的漏极和第二NMOS管（M2）的栅极相连接；第一NMOS管（M1）和第二NMOS管（M2）的源极接地。

3.如权利要求1或2所述的基准电压电路，其特征在于：所述正温度系数基准电路由第一PMOS管（M3）、第二PMOS管（M4）、第三NMOS管（M5）、第四NMOS管（M6）和第一电阻（R1）构成；第一PMOS管（M3）和第二PMOS管（M4）的源极与电源电压（VDD）相连接；第一PMOS管（M3）的漏极与第三NMOS管（M5）的漏极、第三NMOS管（M5）的栅极、第四NMOS管（M6）的栅极和所述启动电路中的第一NMOS管（M1）的栅极相连接；第一PMOS管（M3）的栅极与第二PMOS管（M4）的栅极、第二PMOS管（M4）的漏极、第四NMOS管（M6）的漏极和所述启动电路中的第二NMOS管（M2）漏极相连接；第三NMOS管（M5）的源极接地；第四NMOS管（M6）的源极与第一电阻（R1）的一端相连接，第一电阻（R1）的另一端接地。

4.如权利要求3所述的基准电压电路，其特征在于：所述负温度系数基准电路由第四PMOS管（M14），第五NMOS管（M8），第五PMOS管（M9），第六PMOS管（M10），第六NMOS管（M11），第二电阻（R4）构成；第四PMOS管（M14）的源极，第五PMOS管（M9）的源极，第六PMOS管（M10）的源极与电源电压相连接；第四PMOS管（M14）的栅极与所述正温度系数基准电路中的第二PMOS管（M4）的栅极相连接；第四PMOS管（M14）的漏极与第五NMOS管（M8）的漏极，第六NMOS管（M11）的栅极相连接；第五NMOS管（M8）的栅极与第二电阻（R4）的一端，第六PMOS管（M10）的漏极相连接；第五PMOS管（M9）的栅极与第六PMOS管（M10）的栅极，第五PMOS管（M9）的漏极，第六NMOS管（M11）的漏极相连接；第五NMOS管（M8）的源极，第六NMOS管（M11）的源极和第二电阻（R4）的另一端分别接地。

5.如权利要求1所述的基准电压电路，其特征在于：所述负温度系数基准电路由第四PMOS管（M14），第五NMOS管（M8），第五PMOS管（M9），第六PMOS管（M10），第六NMOS管（M11），第二电阻（R4）构成；第四PMOS管（M14）的源极，第五PMOS管（M9）的源极，第六PMOS管（M10）的源极与电源电压相连接；第四PMOS管（M14）的栅极与所述正温度系数基准电路中的第二PMOS管（M4）的栅极相连接；第四PMOS管（M14）的漏极与第五NMOS管（M8）的漏极，第六NMOS管（M11）的栅极相连接；第五NMOS管（M8）的栅极与第二电阻（R4）的一端，第六PMOS管（M10）的漏极相连接；第五PMOS管（M9）的栅极与第六PMOS管（M10）的栅极，第五PMOS管（M9）的漏极，第六NMOS管（M11）的漏极相连接；第五NMOS管（M8）的源极，第六NMOS管（M11）的源极和第二电阻（R4）的另一端分别接地。

6.如权利要求1或4所述的基准电压电路，其特征在于：所述偏置电压电路由第七PMOS管（M12），第八PMOS管（M13），第三电阻（R3）构成；第七PMOS管（M12）的源极和第八PMOS管（M13）的源极与电源电压（VDD）相连接；第七PMOS管（M12）的栅极与所述负温度系数基准电路中的第五PMOS管（M9）的栅极相连接；第八PMOS管（M13）的栅极与所述正温度系数基准电路中的第二PMOS管（M4）的栅极相连接；第七PMOS管（M12）的漏极与第八PMOS管（M13）的漏极和第三电阻（R3）的一端相连接，其节点作为基准电压VREF的输出端；第三电阻（R3）的另一端接地。