[发明专利]绝缘电缆瓷柱用氧化镁的制备方法及氧化镁及其应用有效

专利信息
申请号: 201210362966.0 申请日: 2012-09-25
公开(公告)号: CN102838345A 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 张楠;崔永坤 申请(专利权)人: 上海同化新材料科技有限公司
主分类号: C04B35/04 分类号: C04B35/04;C04B35/622;C01F5/02
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 史霞
地址: 200092 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 绝缘 电缆 瓷柱用 氧化镁 制备 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.绝缘电缆瓷柱用氧化镁的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一、对原料氧化镁在1100~1200℃的温度下煅烧,得到轻烧氧化镁;

步骤二、采用所述步骤一得到的轻烧氧化镁制得两种粒径的轻烧氧化镁,分别为粒径大于150目以及80~150目的轻烧氧化镁;

步骤三、将粒径大于150目以及80~150目的轻烧氧化镁混合,得到矿物质绝缘电缆瓷柱用氧化镁,其中,粒径大于150目的轻烧氧化镁的用量为矿物质绝缘电缆瓷柱用氧化镁总量的3~5%。

2.如权利要求1所述的绝缘电缆瓷柱用氧化镁的制备方法,其特征在于,所述步骤二中,将所述步骤一得到的轻烧氧化镁研磨至50目以上,然后对研磨后的轻烧氧化镁利用振动筛进行筛选,振动筛的筛分粒径分别为80目和150目,筛分得到粒径大于150目以及80~150目的轻烧氧化镁。

3.如权利要求2所述的绝缘电缆瓷柱用氧化镁的制备方法,其特征在于,筛分得到粒径小于80目的轻烧氧化镁再与所述步骤一得到的轻烧氧化镁混合后,进行研磨。

4.如权利要求1所述的绝缘电缆瓷柱用氧化镁的制备方法,其特征在于,所述步骤一的原料氧化镁通过以下方法得到:从菱镁矿尾矿中筛选直径小于8mm的原料氧化镁。

5.如权利要求4所述的绝缘电缆瓷柱用氧化镁的制备方法,其特征在于,所述步骤一的原料氧化镁通过以下方法得到:从菱镁矿尾矿中筛选直径小于8mm的原料氧化镁,再经过磁选。

6.如权利要求1或4所述的绝缘电缆瓷柱用氧化镁的制备方法,其特征在于,所述步骤一得到的轻烧氧化镁的密度为1.5~1.7g/cm3

7.如权利要求1所述的绝缘电缆瓷柱用氧化镁的制备方法,其特征在于,所述步骤一中,对原料氧化镁在1100~1200℃的温度下煅烧2.5~3h。

8.如权利要求1所述的绝缘电缆瓷柱用氧化镁的制备方法,其特征在于,所述步骤三之后还有步骤四,所述步骤三得到的矿物质绝缘电缆瓷柱用氧化镁再经过磁选。

9.一种采用如权利要求1~8中任一项所述的方法制备的氧化镁。

10.如权利要求9所述的氧化镁在矿物质绝缘电缆瓷柱的制备中的应用。

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