[发明专利]一种触摸屏的ESD保护装置

权利要求书

1.一种触摸屏的ESD保护装置，其特征在于，包括：

ESD保护电路和与ESD保护电路串联的保护开关；

当触摸屏的感应线或驱动线的静电电位大于或等于预设电位时，所述保护开关导通，所述ESD保护电路和保护开关形成通路，用于将感应线或驱动线的静电泄露到周边的共电极母线，或ESD放电母线，或接地母线上去；

当所述触摸屏的面板正常驱动时，所述保护开关断开。

2.根据权利要求1所述的触摸屏的ESD保护装置，其特征在于，

所述保护开关连接在所述ESD保护电路和触摸屏的感应线之间；或

所述保护开关连接在所述ESD保护电路和触摸屏的驱动线之间；或

所述保护开关连接在所述ESD保护电路和ESD放电母线之间；或

所述保护开关连接在所述ESD保护电路和接地母线之间；或

所述保护开关连接在所述ESD保护电路和共电极母线之间。

3.根据权利要求1所述的触摸屏的ESD保护装置，其特征在于，所述ESD保护电路至少包括一个保护开关。

4.根据权利要求2所述的触摸屏的ESD保护装置，其特征在于，所述保护开关为一个第三薄膜晶体管TFT，所述第三TFT的控制栅极连接控制脉冲，同时所述第三TFT的控制栅极通过另外一个ESD保护电路或者电阻性器件连接到接地母线，或者共电极母线，或者ESD放电母线上。

5.根据权利要求1所述的触摸屏的ESD保护装置，其特征在于，所述保护开关包括串联在一起的第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管的控制栅极被互为反相的两个控制脉冲控制；所述第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管均为PMOS管或者均为NMOS管。

6.根据权利要求1所述的触摸屏的ESD保护装置，其特征在于，所述保护开关包括串联在一起的两个TFT，其中一个TFT为NMOS管，另一个TFT为PMOS管，所述NMOS管和PMOS管的栅极用同一个控制脉冲控制。

7.根据权利要求1所述的触摸屏的ESD保护装置，其特征在于，所述保护开关为低温多晶硅LTPS、硒化镉CdSe或者氧化物半导体的双栅极TFT，所述双栅极TFT中的顶栅极和底栅极分别被互为反相的两个控制脉冲控制。

8.根据权利要求1所述的触摸屏的ESD保护装置，其特征在于，所述ESD保护电路包括至少一对薄膜晶体管，所述一对薄膜晶体管包括以背靠背方式连接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。

9.根据权利要求8所述的触摸屏的ESD保护装置，其特征在于，所述ESD保护电路的多对薄膜晶体管可以以串连、并联或串连并联相结合的方式连接。

10.根据权利要求1-9任一项所述的触摸屏的ESD保护装置，其特征在于，所述ESD保护电路与保护开关和显示器的TFT阵列制作在同一张基板上。

11.根据权利要求10任一项所述的触摸屏的ESD保护装置，其特征在于，该ESD保护装置应用于二维的空间图像成像器件上；

或者探测二维空间的基于机械触摸和压力的传感器上；

或者基于声波、光波或者电磁波的直接或间接作用产生的二维空间信息的传感器上。

12.根据权利要求10所述的触摸屏的ESD保护装置，其特征在于，所述TFT阵列用于驱动液晶显示器或者有机发光二极管阵列。