[发明专利]基于IGBT模块的清洗支撑工装

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种基于IGBT模块的清洗支撑工装。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

由于IGBT模块应用于不同领域，因此IGBT模块大小也各不相同，存在各种各样的尺寸。在IGBT模块的封装制造过程中，要求全程进行无尘化处理，严格执行净化标准，同时在整个封装工艺流程中，需要多次进行模块的清洗工艺，模块在完成焊接之后，即子单元焊接于底板上，需要对底板进行清洁，模块在完成整个封装工艺之后也要进行外观的处理，同样使用到清洗工艺，由于IGBT模块是精密器件，在进行这些清洗工艺时，要求模块不可接触操作台或者有可能引起模块污染的环境，这样就需要将模块进行悬空处理，保证IGBT模块的洁净，但由于IGBT模块的尺寸大小不同，需要分别独立制作清洗支撑工装，工艺繁琐且成本较高。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种基于IGBT模块的清洗支撑工装。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种基于IGBT模块的清洗支撑工装，其适用于大多数IGBT模块的清洗。

为了实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下：

一种基于IGBT模块的清洗支撑工装，所述清洗支撑工装包括一底板、垂直设置于底板上的两个把手以及垂直设置于底板上用于支撑不同尺寸IGBT模块的若干支撑模块，每个支撑模块包括两个或两个以上的支撑柱，所述不同支撑模块中的支撑柱间根据各个IGBT模块上的安装孔对应设置。

作为本发明的进一步改进，所述底板采用铝合金材质，底板形状设置为长方形或正方形。

作为本发明的进一步改进，所述两个把手相互平行设置，每个把手包括两个与底板垂直的垂直部以及连接两个垂直部的连接部。

作为本发明的进一步改进，所述把手的垂直部采用螺钉与底板固定连接。

作为本发明的进一步改进，所述支撑柱包括金属柱及包裹在所述金属柱外的绝缘层，所述金属柱的两端未包裹绝缘层。

作为本发明的进一步改进，所述金属柱的材质为铜，所述绝缘层的材质为工程塑料。

作为本发明的进一步改进，所述不同支撑模块共用全部或部分支撑柱。

本发明的有益效果是：清洗支撑工装使用简单、方便，设计合理，能够有效解决各种IGBT模块清洗支撑的问题。同时，该清洗支撑工装上的支撑柱在清洗过程中能够释放静电、避免工装对IGBT模块产生损伤。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明基于IGBT模块的清洗支撑工装的结构示意图；

图2为本发明基于IGBT模块的清洗支撑工装中支撑柱的侧视图；

图3为本发明基于IGBT模块的清洗支撑工装的底板结构示意图；

图4为本发明第一实施方式中IGBT模块的清洗支撑工作示意图；

图5为本发明第二实施方式中IGBT模块的清洗支撑工作示意图；

图6为本发明第三实施方式中IGBT模块的清洗支撑工作示意图；

图7为本发明第四实施方式中IGBT模块的清洗支撑工作示意图；

其中：100、清洗支撑工装；10、底板；11，12、第一把手安装孔；13，14、第二把手安装孔；101,102…112、支撑柱安装孔；21、第一把手；22、第二把手；301，302…312、支撑柱；31、金属柱；32、绝缘层。

具体实施方式

本发明公开了一种基于IGBT模块的清洗支撑工装，该清洗支撑工装包括一底板、垂直设置于底板上的两个把手以及垂直设置于底板上用于支撑IGBT模块的若干支撑柱。