[发明专利]一种中温烧结低损耗微波介质陶瓷及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210361354.X 申请日: 2012-09-24
公开(公告)号: CN102887701A 公开(公告)日: 2013-01-23
发明(设计)人: 孙清池;王丽婧;马卫兵;郇正利;吴涛 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C04B35/462 分类号: C04B35/462;C04B35/622;H01L41/187
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 张宏祥
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 烧结 损耗 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种中温烧结低损耗微波介质陶瓷,其原料组分及其摩尔百分比含量为Li2(Mg1-xZnx)Ti3O8,式中x=0.02~0.08。

上述中温烧结低损耗微波介质陶瓷的制备方法,具有如下步骤:

(1)配料

将原料Li2CO3、(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O、ZnO和TiO2,按Li2(Mg1-xZnx)Ti3O8,式中x=0.02~0.08的化学计量比配料,于球磨机中球磨,球:料:水的重量比为2:1:0.5,球磨时间为4h,再将原料烘干;

(2)合成

将步骤(1)烘干后的粉料放入氧化铝坩埚内,加盖密封,于900℃合成4h;

(3)成型及排塑

将步骤(2)的合成料再次球磨、烘干,外加5wt%~7wt%的聚乙烯醇水溶液进行造粒,过筛后在400Mpa的压强下压制成型为坯体;然后以3℃/min的速率将坯体升温至200℃,再以1.5℃/min速率从200℃升至400℃,在400℃保温30min后,以5℃/min的速率升至650℃并保温10min,排出有机物;

(4)烧结

将步骤(3)排出有机物的坯体采用本体系配方粉料埋烧,以6℃/min速率升温至1025~1125℃,保温4h,随炉冷却;

(5)测试微波介电性能

将步骤(4)烧结处理的微波介质陶瓷柱,于室温下静置24h后测试其微波介电性能。

2.根据权利要求1的一种中温烧结低损耗微波介质陶瓷,其特征在于,所述配方中的x的优选值为0.06。

3.根据权利要求1的一种中温烧结低损耗微波介质陶瓷,其特征在于,所述步骤(1)的球磨介质为去离子水和玛瑙球,球磨机的转速为750r/min。

4.根据权利要求1的一种中温烧结低损耗微波介质陶瓷,其特征在于,所述步骤(3)的聚乙烯醇水溶液的聚乙烯醇含量为7wt%。

5.根据权利要求1的一种中温烧结低损耗微波介质陶瓷,其特征在于,所述步骤(3)的坯体为直径12mm,厚度5.0mm~6.0mm的圆柱状坯体。

6.根据权利要求1的一种中温烧结低损耗微波介质陶瓷,其特征在于,所述步骤(4)优选的烧结温度1075℃。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210361354.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top