[发明专利]一种中温烧结低损耗微波介质陶瓷及其制备方法无效
申请号: | 201210361354.X | 申请日: | 2012-09-24 |
公开(公告)号: | CN102887701A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 孙清池;王丽婧;马卫兵;郇正利;吴涛 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C04B35/462 | 分类号: | C04B35/462;C04B35/622;H01L41/187 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 张宏祥 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 烧结 损耗 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种中温烧结低损耗微波介质陶瓷,其原料组分及其摩尔百分比含量为Li2(Mg1-xZnx)Ti3O8,式中x=0.02~0.08。
上述中温烧结低损耗微波介质陶瓷的制备方法,具有如下步骤:
(1)配料
将原料Li2CO3、(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O、ZnO和TiO2,按Li2(Mg1-xZnx)Ti3O8,式中x=0.02~0.08的化学计量比配料,于球磨机中球磨,球:料:水的重量比为2:1:0.5,球磨时间为4h,再将原料烘干;
(2)合成
将步骤(1)烘干后的粉料放入氧化铝坩埚内,加盖密封,于900℃合成4h;
(3)成型及排塑
将步骤(2)的合成料再次球磨、烘干,外加5wt%~7wt%的聚乙烯醇水溶液进行造粒,过筛后在400Mpa的压强下压制成型为坯体;然后以3℃/min的速率将坯体升温至200℃,再以1.5℃/min速率从200℃升至400℃,在400℃保温30min后,以5℃/min的速率升至650℃并保温10min,排出有机物;
(4)烧结
将步骤(3)排出有机物的坯体采用本体系配方粉料埋烧,以6℃/min速率升温至1025~1125℃,保温4h,随炉冷却;
(5)测试微波介电性能
将步骤(4)烧结处理的微波介质陶瓷柱,于室温下静置24h后测试其微波介电性能。
2.根据权利要求1的一种中温烧结低损耗微波介质陶瓷,其特征在于,所述配方中的x的优选值为0.06。
3.根据权利要求1的一种中温烧结低损耗微波介质陶瓷,其特征在于,所述步骤(1)的球磨介质为去离子水和玛瑙球,球磨机的转速为750r/min。
4.根据权利要求1的一种中温烧结低损耗微波介质陶瓷,其特征在于,所述步骤(3)的聚乙烯醇水溶液的聚乙烯醇含量为7wt%。
5.根据权利要求1的一种中温烧结低损耗微波介质陶瓷,其特征在于,所述步骤(3)的坯体为直径12mm,厚度5.0mm~6.0mm的圆柱状坯体。
6.根据权利要求1的一种中温烧结低损耗微波介质陶瓷,其特征在于,所述步骤(4)优选的烧结温度1075℃。
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