[发明专利]一种测验器件抗质子单粒子效应能力的方法

权利要求书

1.一种测验器件抗质子单粒子效应能力的方法，其特征在于，该方法包括步骤：

S1准备待测验器件；

S2进行质子诱发的单粒子翻转检测SEU，获得器件位的翻转数据；

S3进行质子诱发的单粒子闩锁检测SEL，获得器件的电流和功耗；

S4根据所述翻转数据和器件的电流和功耗进行试验数据的处理分析，获得器件的抗质子单粒子效应能力。

2.如权利要求1所述的测验器件抗质子单粒子效应能力的方法，其特征在于，所述步骤S2进一步包括：

S21从最高质子能量开始确定最劣条件，所述最劣条件包括最小和最大电源电压、正入射、入射余角；

S22在最小和最大电源电压的情况下测量SEU截面；

S23在正入射和两个入射余角的情况下测量SEU截面；

S24通过对比TID辐射前器件与TID辐射后器件的SEU截面确定总剂量敏感性，如果所述总剂量敏感性为敏感，则获取复合器件的单个截面曲线，如果所述总剂量敏感性为不敏感，则执行步骤S25；

S25按照质子能量从高到低的顺序，重复上述步骤S22-S24;

S26确定器件的截面曲线。

3.如权利要求1所述的测验器件抗质子单粒子效应能力的方法，其特征还在于，所述步骤S3进一步包括：

S31质子能量大于400MeV，在最大偏置和温度及正入射下进行闩锁检测； 

S32质子能量介于180MeV到400MeV，在最大偏置和温度及入射余角下进行闩锁检测；

S33质子能量小于180MeV，在最大偏置和温度下使用重离子进行闩锁检测。

4.如权利要求1所述的测验器件抗质子单粒子效应能力的方法，其特征在于，所述步骤S4采用Bendel 2-参数方程计算器件的SEU截面，采用威布尔4-参数方程计算器件的饱和截面的相关性，所述Bendel 2-参数方程为

s=S[1-exp(-0.18Y^0.5)]⁴………………………（1）

其中：Y=(18/A)^0.5(E-A)

S表示质子限制截面，单位为proton·cm2/bit；

E表示质子能量，单位为MeV；

A表示质子反应产生的翻转的质子能量阈值，单位为MeV；

s表示SEU截面，单位为proton·cm2/bit。

所述威布尔4-参数方程为

式中：

σ_sat—饱和截面，proton·cm2/bit；

E0—阈值能量，MeV；

w—位置参数。