[发明专利]蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造显示设备的方法

说明书

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及一种蚀刻剂和一种通过使用该蚀刻剂用来制造显示设备的方法。

背景技术

通常，当制造薄膜晶体管阵列面板时，用于栅极导线和数据导线的金属层通常在衬底上成层，以及，此后，可能需要蚀刻金属层。

对于栅极导线和数据导线，已经使用了具有良好导电性和低电阻的铜。但是当使用铜时，使用单一的铜薄膜在对于涂覆光致抗蚀剂和形成光致抗蚀剂的图案的过程中可存在困难。因此，多层金属薄膜可被应用到栅极导线和数据导线。

例如，在多层金属薄膜中，已经广泛使用钛/铜双层薄膜。令人遗憾的是，在同时蚀刻钛/铜双层薄膜的情况下，蚀刻轮廓较差，从而在后续过程中存在困难。

因此，需要提供理想的与蚀刻钛/铜薄膜相关的蚀刻轮廓。

在该背景部分中公开的上述信息仅用于增进对本发明的背景的理解，因此，其可包含不构成在该国家对于本领域的普通技术人员已经熟知的现有技术的信息。

发明内容

本发明解决了这些需求和其他需求，其中，本发明的示例性实施方式提供了一种用于对于钛/铜薄膜的蚀刻提供期望的蚀刻轮廓的蚀刻剂。

本发明的示例性实施方式公开了一种蚀刻剂。该蚀刻剂包括：约0.5wt.%（重量百分比含量）至约20wt.%的过硫酸盐；约0.01wt.%至约2wt.%的氟化合物；约1wt.%至约10wt.%的无机酸；约0.5wt.%至约5wt.%的环胺化合物；约0.1wt.%至约5wt.%的氯化合物；约0.05wt.%至约3wt.%的铜盐；约0.1wt.%至约10wt.%的有机酸或有机酸盐；和水。

本发明的示例性实施方式公开了一种使用蚀刻剂制造显示设备的方法。该方法包括在绝缘衬底上形成栅极金属层。该方法包括通过使用蚀刻剂蚀刻所述栅极金属层而形成包括栅电极的栅极线。该方法还包括在所述栅极线上形成栅极绝缘层。该方法包括在所述栅极绝缘层上形成非晶硅层和数据金属层。该方法包括通过蚀刻所述非晶硅层和所述数据金属层形成半导体、欧姆接触层、包括源电极的数据线、和漏电极。该方法还包括在钝化层上形成连接至所述漏电极的像素电极。该方法包括用于蚀刻过程的蚀刻剂，并且该蚀刻剂包括：约0.5wt.%至约20wt.%的过硫酸盐；约0.01wt.%至约2wt.%的氟化合物；约1wt.%至约10wt.%的无机酸；约0.5wt.%至约5wt.%的环胺化合物；约0.1wt.%至约5wt.%的氯化合物；约0.05wt.%至约3wt.%的铜盐；约0.1wt.%至约10wt.%的有机酸或有机酸盐；和水。

应该理解，上文的总体描述和以下的具体描述为示例性和解释性的并且旨在提供对要求保护的本发明进一步的说明。

附图说明

图1为根据本发明的示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板的布局视图；

图2为沿着图1中的线Ⅱ-Ⅱ的剖面图；以及

图3、图4、图5、图6、图7和图8分别为示出根据本发明的示例性实施方式的用于显示设备的薄膜晶体管阵列面板的制造方法的剖面图。

具体实施方式

下文将根据示出本发明的实施方式的附图更全面地描述本发明。然而，本发明可被体现为多种不同的形式，并且不应该被解释成受限于本文所列举的实施方式。相反，所提供的这些实施方式使得对于本领域的技术人员而言该公开内容是透彻的并且更充分地表达了本发明的范围。在附图中，为了清楚，层和区域的尺寸和相对尺寸可以放大。在附图中同样的附图标记表示同样的元件。

在附图中，为了清楚可以放大层、膜、面板和区域的厚度。在整个说明书中同样的附图标记表示同样的元件。可以理解，当诸如层、膜、区域或衬底的元件被称为在另一元件“上”时，可以直接在其他元件上或也可以存在中间元件。对比而言，当元件被称作“直接在另一元件上”时，则不存在中间元件。

可以理解，为了公开的目的，“至少一种”可被解释成意指按照对应的语言的列举的元件的任何组合，包括多个列举的元件的组合。例如，“X、Y或Z中的至少一种”可被理解成意指仅X、仅Y、仅Z、或X、Y和Z中的两个或两个以上的任一组合（例如，XYZ、XZ、YZ）。

然后，将描述根据本发明的示例性实施方式的蚀刻剂。

例如，所述蚀刻剂用来蚀刻由钛（Ti）制成的金属导线或包括钛的金属薄膜和双层薄膜，在该双层薄膜中，铜（Cu）或包括铜的金属薄膜被形成在钛（Ti）或包括钛的金属薄膜上。

所述蚀刻剂可包括过硫酸盐、氟化合物、无机酸、环胺化合物、氯化合物、铜盐、有机酸或有机酸盐和余量的水。