[发明专利]一种制备AgX@g-C3N4复合光催化材料的方法有效
| 申请号： | 201210355687.1 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102836734A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 赵崇军;兰永焕;钱秀珍;徐云龙;张金朝 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 agx sub 复合 光催化 材料 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种利用卤素离子与具有片状结构的g-C3N4表面负载的银离子之间的沉淀反应，将卤化银负载在g-C3N4上制备了AgXg-C3N4复合光催化材料的方法，具体涉及银离子在g-C3N4表面的负载、卤素离子的加载等过程。
背景技术
能源危机和环境污染是人类在新世纪所面临的重大问题，而光催化技术在缓解甚至解决这两方面问题都有重要意义，其中作为光催化技术的核心，光催化剂的探索成为关键。
由于其光敏性，因此卤化银往往具有可见光响应性质，不过，也正是由于光敏性，在没有其他措施的情况下，纯的卤化银往往不稳定，很难作为稳定的(可见)光催化剂使用。与其他半导体材料复合成为解决其稳定性的一个行之有效的方案，而寻找低成本、高效的半导体材料显得非常重要。
g-C3N4作为一种碳化氮同素异形体，是一种由三嗪环(-C3N3)组成的类石墨相的层状结构，片层之间存在的微弱的范德华力，使阴阳离子能插入其间，通过离子-π相互作用和静电作用而形成氮化碳插层化合物，而且其具有窄的带隙(2.7eV)，合成成本很低等特点。
虽然现有技术中已经广泛报道卤化银与其他半导体材料的复合光催化材料[Yingpu Bi，Shuxin Ouyang，Junyu Cao and Jinhua Ye.Facile synthesis of rhombic dodecahedral AgX/Ag3PO4(X＝Cl，Br，I)heterocrystals with enhanced photocatalytic properties and stabilities.Phys.Chem.Chem.Phys.，2011，13，10071-10075.]，g-C3N4与其他材料的复合亦有报导[Jia-Xin Sun，Yu-Peng Yuan，Ling-Guang Qiu，Xia Jiang，An-Jian Xie，Yu-Hua Shen and Jun-Fa Zhu.Fabrication of composite photocatalyst g-C3N4-ZnO and enhancement of photocatalytic activity under visible light.Dalton Trans.，2012，41，6756-6763.]。而通过卤化银负载在g-C3N4上制备新型的AgXg-C3N4复合光催化材料目前未见报道。
发明内容
本发明的目的是采用一种简单的化学法，通过卤素离子与修饰在g-C3N4表面的银离子之间的反应，合成出卤化银负载的AgXg-C3N4复合光催化材料。
本发明的技术解决方案如下：
一种利用g-C3N4作为载体，硝酸银和卤盐分别作为银离子源和卤素离子源，制备AgXg-C3N4复合材料的方法，包括如下步骤：
(1)称取g-C3N4粉末，加入到去离子水中，超声分散0.5～2小时；
(2)称取硝酸银，溶解在(1)中的分散液中，使硝酸银浓度为0.05～0.5M，持续搅拌1～4小时；
(3)按银离子与卤素离子的摩尔比为1∶1，量取0.05～0.5M的氯化钾、氯化钠、溴化钾、溴化钠、碘化钾或碘化钠溶液中的一种，将其加入到(2)形成的溶液中，持续搅拌10～24小时；
(4)将步骤(4)中得到的产物过滤、洗涤、干燥后，得到AgXg-C3N4复合材料；其中复合材料中，g-C3N4的质量比例范围为：1％～50％。
在本发明的制备方法中，反应过程简单易控，成本低，产物的可见光催化活性高。
附图说明
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