[发明专利]一种石英晶体谐振器及其加工方法有效

专利信息
申请号: 201210353655.8 申请日: 2012-09-21
公开(公告)号: CN102832902A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 杨清明;刘青彦;梁羽杉 申请(专利权)人: 成都晶宝时频技术股份有限公司
主分类号: H03H9/19 分类号: H03H9/19;H03H9/02;H03H3/02
代理公司: 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 代理人: 李高峡;全学荣
地址: 610041 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 石英 晶体 谐振器 及其 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种石英晶体谐振器,包括外壳(1)、基座(2)、引脚(3)、弹簧片(4)、导电胶(5)、镀膜电极(6)、晶片(7);所述镀膜电极(6)包括基本电极(61)和与其连接的微调电极(62);其特征在于:所述镀膜电极(6)附着在晶片(7)表面,包括由内到外依次排列的下镀铬层(601)、镀银层(602)、上镀铬层(603)。

2.根据权利要求1所述的石英晶体谐振器,其特征在于:所述基本电极(61)为矩形,其尺寸为3.0×1.4mm;所述微调电极(62)为矩形,其尺寸为2.4×1.0mm。

3.根据权利要求1所述的石英晶体谐振器,其特征在于:所述下镀铬层(601)的厚度为2至3nm。

4.根据权利要求1所述的石英晶体谐振器,其特征在于:所述上镀铬层(603)的厚度为1至2nm。

5.一种制造上述权利要求1-4所述的任意一种石英晶体谐振器的加工方法,包括以下步骤:

步骤1、晶片切割:根据性能指标要求将石英晶棒按AT切型切成方片;

步骤2、晶片研磨:将石英晶体方片在研磨机上进行晶片研磨加工,磨到与所要求频率相符合的厚度;

步骤3、晶片边缘处理:使用滚边机进行晶片边缘滚边加工;

步骤4、化学腐蚀:将机械加工合格的晶片(7)进行化学腐蚀;

步骤5、镀膜电极(6)形成:在晶片(7)表面依次蒸镀下镀铬层(601)、镀银层(602)、上镀铬层(603),从而形成镀膜电极(6);然后将晶片(7)翻面,对晶片(7)的另一面按照上述相同方法形成镀膜电极(6)。

步骤6、在镀上镀膜电极(6)的晶片(7)上水平装入弹簧片(4),再点导电胶(5)固定后用隧道炉固化;

步骤7、频率微调:用微调机进行频率微调达到所要求的频率范围;

步骤8、封装成型:连接外壳(1)和基座(2),并进行气密性检查。

步骤9、高温老化。

步骤10、成品参数特性检查及印字;

步骤11、引脚(3)处理:切脚及引脚(3)成形、引脚(3)浸锡;

步骤12、套绝缘垫片,编带。

6.根据权利要求5所述的石英晶体谐振器的加工方法,其特征在于:所述步骤5中,蒸镀时控制下镀铬层的厚度为2至3nm,上镀铬层的厚度为1至2nm。

7.根据权利要求5所述的石英晶体谐振器的加工方法,其特征在于:所述步骤5中,蒸镀时控制基本电极(61)的尺寸为3.0×1.4mm,微调电极(62)的尺寸为2.4×1.0mm。

8.根据权利要求5所述的石英晶体谐振器的加工方法,其特征在于:所述步骤8中外壳(1)和基座(2)的连接采用电阻焊连接。

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