[发明专利]使用YBCO/LAO种膜制备宽裂纹间距的REBCO高温超导厚膜的方法有效
申请号: | 201210353598.3 | 申请日: | 2012-09-20 |
公开(公告)号: | CN102877124A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 姚忻;郭林山;陈媛媛;程玲 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C30B19/00 | 分类号: | C30B19/00;C30B29/22;H01B12/06;H01L39/12;H01L39/24;C04B35/45 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 ybco lao 制备 裂纹 间距 rebco 高温 超导 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种高温超导材料的制备方法,尤其涉及一种制备宽裂纹间距的REBCO超导厚膜的方法。
背景技术
超导体最早是在1911年的时候被发现的,它具有两个主要特性:零电阻以及完全抗磁性。这些奇特的性质使它在很多领域具有应用潜力,例如,在电力工业中用超导电缆可实现无损耗输电,超导电机可突破常规发电机的极限容量;用超导线圈制成的超导磁体不仅体积小、重量轻、而且损耗小、所需的励磁功率小,可获得强磁场。但是其极低的温度使其应用受到了极大的限制,因此研制具有较高临界温度的超导体成为热点。
临界温度在液氮温度(77K)以上的超导体被称为高温超导体。液氮温度以上的超导体的发现,使得普通的物理实验室具备了进行超导实验的条件。目前,高温超导体包括四大类:90K的稀土系、110K的铋系、125K的铊系和135K的汞系。
其中,由于REBa2Cu3Ox(简称REBCO、RE123、稀土钡铜氧,其中RE代表稀土元素)具有高于液氮温度的超导转变温度Tc,其在低于转变温度Tc的温度环境下表现出迈斯纳效应和零电阻效应等特性。REBCO超导厚膜在诸如限流器、带通滤波器等超导器件方面具有许多潜在的应用。液相外延(Liquid Phase Epitaxy,LPE)被普遍认为是一种极具潜力的REBCO超导厚膜的制备方法。
在液相外延生长REBCO超导厚膜的过程中,籽晶被固定在连接杆上缓慢靠近饱和溶液表面,作为唯一的形核点诱导REBCO超导厚膜的生长。由于LPE的生长条件接近平衡态,使用薄膜材料作为籽晶诱导生长得到的厚膜具有低缺陷、高平整度、高结晶性能等特点。另外,由于LPE在非真空条件下进行,因而这种方法具有制备成本低等优点。并且与一般的成膜技术相比,LPE具有较快的生长速度。
在液相外延生长REBCO超导厚膜时,YBCO/MgO和NGO是两种被广泛选用的种膜(籽晶)。但是,对于YBCO/MgO种膜,其MgO基板与YBCO薄膜很大的失配度;对于NGO种膜,其诱导生长的REBCO超导厚膜通常具有密集的裂纹,即裂纹间距很窄,通常只有几十微米,此缺陷非常不利于超导器件的设计与研发。可见,探索用于液相外延生长REBCO超导厚膜的新籽晶材料显得至关重要。
因此,本领域的技术人员致力于开发一种液相外延生长REBCO超导厚膜的方法,探索用于进行液相外延生长REBCO超导厚膜的新籽晶材料。
发明内容
有鉴于现有技术的上述缺陷,本发明所要解决的技术问题是提供一种液相外延生长REBCO超导厚膜的方法,探索使用YBCO/LAO薄膜作为种膜进行液相外延生长REBCO超导厚膜。
为实现上述目的,本发明提供了一种液相外延生长REBCO超导厚膜的方法,其特征在于,包括步骤:
第一步、取用BaCO3粉末和CuO粉末进行配料,获得BaCO3+CuO粉料,所述BaCO3+CuO粉料中的Ba和Cu的摩尔比为0.3-0.8;
第二步、对所述BaCO3+CuO粉料进行预处理后烧结形成Ba-Cu-O粉末;
第三步、将所述Ba-Cu-O粉末加入到RE2O3材料的坩埚中加热至第一温度,并继而保温,获得RE-Ba-Cu-O溶液;
第四步、将所述RE-Ba-Cu-O溶液冷却至第二温度,使用YBCO/LAO薄膜作为种膜,将所述YBCO/LAO薄膜的YBCO层的表面接触所述RE-Ba-Cu-O溶液,采用顶部籽晶提拉法液相外延生长REBCO超导厚膜。
进一步地,所述第二步中的所述预处理包括:
对所述BaCO3+CuO粉料进行湿磨以获得BaCO3+CuO浆料,湿磨时间为2-4小时;
烘干所述BaCO3+CuO浆料。
进一步地,所述第二步中的所述烧结为将经过所述预处理的所述BaCO3+CuO粉料在890-910℃保温40-50小时。
进一步地,进行所述湿磨时在所述BaCO3+CuO粉料中加入的液体为无水乙醇。
进一步地,所述第一温度为所述REBCO的包晶温度以上10-40℃。
进一步地,所述保温的时间为20-24小时。
进一步地,所述第二温度为所述REBCO的包晶温度以下5-10℃。
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