[发明专利]降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法有效
| 申请号： | 201210353546.6 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103676491A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 孟令款;贺晓彬;李春龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 电子束光刻 时光 粗糙 方法 | ||
1.一种降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法，包括：
在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；
在第一硬掩模层上形成第二硬掩模层；
在第二硬掩模层上形成电子束光刻胶图形；
以电子束光刻胶图形为掩模，刻蚀第二硬掩模层形成第二硬掩模图形；
以第二硬掩模图形为掩模，刻蚀第一硬掩模层形成第一硬掩模图形；
以第一和第二硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的线条。
2.如权利要求1所述的方法，其中，第一硬掩模层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅及其组合。
3.如权利要求2所述的方法，其中，第一硬掩模层为氧化硅与氮化硅的叠层结构。
4.如权利要求1所述的方法，其中，第二硬掩模层包括多晶硅、非晶硅、微晶硅、非晶碳、非晶锗、SiC、SiGe、类金刚石无定形碳及其组合。
5.如权利要求1所述的方法，其中，第一硬掩模层和/或第二硬掩模层和/或结构材料层的刻蚀采用等离子体干法刻蚀技术。
6.如权利要求5所述的方法，其中，等离子体干法刻蚀采用CCP或ICP或TCP设备。
7.如权利要求5所述的方法，其中，刻蚀之后还包括干法去胶和/或湿法腐蚀清洗。
8.如权利要求7所述的方法，其中，湿法腐蚀清洗采用SPM+APM。
9.如权利要求1所述的方法，其中，结构材料层为假栅电极层、金属栅电极层、局部互连层中的一种。
10.如权利要求1所述的方法，其中，第一和/或第二硬掩模层采用LLPCVD、PECVD、HDPCVD、MBE、ALD方法制备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210353546.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
