[发明专利]碳纳米管复合膜的制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米管复合膜的制备方法，包括以下步骤：

提供一具有自支撑结构的碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管；

形成导电材料附着于所述碳纳米管膜中的碳纳米管的表面。

2.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述形成导电材料的步骤为形成导电材料附着于所述碳纳米管膜中的每个碳纳米管的表面。

3.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述多个碳纳米管之间有间隙。

4.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述形成导电材料的步骤包括形成一层导电层于所述碳纳米管膜的表面。

5.如权利要求4所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述导电层的材料为金、银、铜或其合金，该导电层的厚度为1~20纳米。

6.如权利要求4所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，在所述形成导电层的步骤之前，所述形成导电材料的步骤进一步包括形成一层润湿层于所述碳纳米管膜表面的步骤，上述导电层形成在所述润湿层的外表面。

7.如权利要求6所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，该润湿层的材料为铁、钴、镍、钯、钛或它们的合金，该润湿层的厚度为1~10纳米。

8.如权利要求6所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，在所述形成导电层的步骤之前，形成润湿层的步骤之后，所述形成导电材料的步骤进一步包括形成一层过渡层于所述润湿层的外表面，上述导电层形成在所述过渡层的外表面。

9.如权利要求6所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，在所述形成导电层的步骤之后，所述形成导电材料的步骤进一步包括形成一层抗氧化层于所述导电层的外表面。

10.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，在所述形成导电材料于所述碳纳米管膜表面之后，进一步包括在所述导电材料外表面形成强化层的步骤。

11.如权利要求10所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述形成强化层的步骤具体包括以下步骤:将形成有导电材料的碳纳米管结构通过一装有聚合物溶液的装置，使聚合物溶液浸润整个碳纳米管结构，该聚合物溶液通过分子间作用力粘附于所述导电材料的外表面；以及固化聚合物溶液，形成一强化层。

12.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，在形成导电材料附着于所述碳纳米管的表面之前，进一步包括对碳纳米管膜进行激光减薄的步骤。

13.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述形成导电材料的方法包括物理气相沉积法、化学镀及电镀中的一种。

14.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述形成导电材料的方法包括真空蒸镀法或溅射法。

15.如权利要求14所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述形成导电材料的方法为真空蒸镀法，其包括以下步骤：

提供一真空容器，该真空容器具有一沉积区间，该沉积区间底部和顶部分别放置至少一个蒸发源，所述蒸发源的材料为待沉积的导电材料；

设置上述碳纳米管膜于上下蒸发源中间并间隔一定距离，碳纳米管膜正对上下蒸发源设置；以及

加热所述蒸发源，使其熔融后蒸发或升华形成导电材料蒸汽，该导电材料蒸汽遇到冷的碳纳米管膜后，在碳纳米管膜上下表面凝聚，形成导电材料附着于所述碳纳米管膜表面。

16.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述具有自支撑结构的碳纳米管膜为采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取获得。

17.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，该多个碳纳平行于该碳纳米管复合膜表面排列，并沿同一个方向择优取向排列且通过范德华力首尾相连。