[发明专利]一种晶体硅太阳能电池电极硫化处理方法无效
申请号: | 201210347678.8 | 申请日: | 2012-09-19 |
公开(公告)号: | CN102881768A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 江苏荣马新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 张惠忠 |
地址: | 223700 江苏省宿*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 电极 硫化 处理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的电极硫化处理方法,属于晶体硅太阳能电池技术领域。
背景技术
太阳能电池是当今世界最有发展前景的可再生绿色新能源技术,晶体硅太阳能电池是其中主流产品。在晶体硅太阳能电池制作过程中,通过丝网印刷银浆并烧制固化在电池两面形成导电的电极。刚固化好的电池片电极呈现银白色,导电及焊接优良。
晶体硅太阳能电池制作完成后要经过组件封装,此过程有几个月的时间。在此段时间,若存储不当会使电池片电极与空气长时间接触就会导致银硫化变黄,从来影响电池的电性能及外观。一般情况下,会导致电池次栅线变色影响外观,严重的造成电池主栅线硫化变色影响焊接,从而导致组件功率下降。而现阶段,对此硫化现象无有效的解决方法,一般为降低等级低价销售。
发明内容
本发明针对上述问题的不足,提出一种能够保证电池外观,同时保证电性能稳定性的晶体硅太阳能电池电极硫化处理方法。
本发明为解决上述技术问题提出的技术方案是:一种晶体硅太阳能电池电极硫化处理方法,包括以下步骤:第一步,将待处理的晶体硅太阳能电池置于烧结炉内,将烧结炉内温度设置在300℃—480℃,并保持设定的时间;
第二步,将晶体硅太阳能电池置于烧结炉内,同时将晶体硅太阳能电池的速度设定为匀速前进,使晶体硅太阳能电池电极硫化银分解并重新置换为银;
第三步,晶体硅太阳能电池电极硫化银分解并重新置换为银后再经过常温冷却使电池电极表面还原为银白色。
优选的:所述烧结炉的温度设置为逐步递增趋势,烧结炉的初始温度为300℃,而炉内温度加热到设定的温度为480℃。
优选的:所述设定的时间为40s-50s,所述晶体硅太阳能电池的速度为0.05m/s-0.1 m/s。
本发明的一种晶体硅太阳能电池电极硫化处理方法,相比现有技术,具有以下有益效果:由于将待处理的晶体硅太阳能电池置于高温环境下,加热使晶体硅太阳能电池电极硫化银分解,因此能够使硫化银分解还原为白色银,此时电池外观、电性能还原,因而能够保证电池外观,而且能够保证电性能稳定性。同时本发明,操作简单、成本低、处理效果好,适合批量处理硫化电池片。
具体实施方式
实施例
一种晶体硅太阳能电池电极硫化处理方法,包括以下步骤:第一步,将待处理的晶体硅太阳能电池置于烧结炉内,将烧结炉内温度设置在300℃—480℃,所述烧结炉的温度设置为逐步递增趋势,烧结炉的初始温度为300℃,而炉内温度加热到设定的温度为480℃,并保持设定的时间, 所述设定的时间为40s-50s,具体为45s;
第二步,将晶体硅太阳能电池置于烧结炉内,同时将晶体硅太阳能电池的速度设定为匀速前进,所述晶体硅太阳能电池的速度为0.05m/s-0.1 m/s,具体为0.08m/s,使晶体硅太阳能电池电极硫化银分解并重新置换为银;
第三步,晶体硅太阳能电池电极硫化银分解并重新置换为银后再经过常温冷却使电池电极表面还原为银白色。
本发明的原理为:高温分解晶体硅太阳能电池电极表面的硫化银,从而还原电池外观及电性能,即将待处理的晶体硅太阳能电池置于高温环境下,加热使晶体硅太阳能电池电极硫化银分解,从而还原电池外观及电性能。
由上述可知,本实施例由于将待处理的晶体硅太阳能电池置于在温度逐步升高过程中的高温环境下,加热使晶体硅太阳能电池电极硫化银分解,因此能够使硫化银分解还原为白色银,此时电池外观、电性能还原,因而能够防止晶体硅太阳能电池由于长时间放置及存储不当造成的电极银变色、电性能下降问题,从而能够保证电池外观,同时能够保证电性能稳定性。并且本发明,操作简单、成本低、处理效果好,适合批量处理硫化电池片。
上面所描述的本发明优选具体实施例仅用于说明本发明的实施方式,而不是作为对前述发明目的和所附权利要求内容和范围的限制,凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属本发明技术和权利保护范畴。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏荣马新能源有限公司,未经江苏荣马新能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210347678.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种绕包机绕包速度同步控制装置
- 下一篇:一种结构改进的电磁感应自动封口机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的