[发明专利]信息处理装置和信息处理方法

说明书

技术领域

本公开涉及信息处理装置和信息处理方法，具体而言涉及在SSD(solid state drive，固态驱动器)被用作存储设备的情况下适宜的信息处理装置和信息处理方法。

背景技术

近年来，SSD作为容量易于增大并且在执行随机访问时具有高读取速度的存储设备正吸引着注意。对于标准SSD，现在使用NAND闪存。

特别地，己知这样的事实，即，因为随着重写次数的增加存储器单元的劣化进展，NAND闪存变得不能够保持存储器信息。具体而言，随着反复重写，用于防止电子从存储电子的浮置栅极泄漏的隧道氧化膜的劣化进展，并且一些电子从隧道氧化膜中泄漏，从而减少了浮置栅极中的电子的数量。另外，半导体产品的特有问题的示例包括由于硅晶片的中心部分与周边部分之间的纯度的变动或者硅晶片的Z方向上的纯度的变动引起的特性的个体差异的问题。

就此，SSD采用磨损平衡(wear leveling)，磨损平衡通过以块为单位管理写入次数并且均衡所有块中的写入次数，来防止一部分块的隧道氧化膜集中劣化。另外，采用了不良块管理、差错校正功能等等。在不良块管理中，登记由于差错而写入失败的块并且以后禁止使用该块。

2010-061578号日本专利申请早期公布(第[0006]段)公开了一种用于识别/分析诸如SSD之类的半导体存储设备的预期可用时间(预期寿命)的方法。在此方法中，计算基于擦除计数的时间性转变的上升系数，并且利用上升系数与根据半导体存储设备的容量计算出的擦除计数的最大值之间的关系来计算半导体存储设备的预期可用时间。也就是说，在继续使用计算机的情况下半导体存储设备的擦除计数根据这样计算出的擦除计数的上升系数达到擦除计数的上述最大值的经过时间被计算作为预期可用时间，并且被显示在计算机的显示器上。

发明内容

在磨损平衡中，预期SSD的寿命会被延长。另一方面，在2010-061578号日本专利申请早期公布中公开的技术中，通过显示预期可用时间来管理SSD的更换时间。两种技术都对使用SSD作为存储设备的系统的可靠性的改善作出了贡献。然而，存在另一个关于对SSD的数据的读取和写入的响应性的问题。

然而，在可能无法消除由于硅基板的杂质浓度的空间变动等等引起的SSD之间的物理特性的个体差异的当前情形中，还没有具体确立用于改善在利用多个SSD实现存储设备的情况下的总体响应性的技术。

鉴于如上所述的情况，需要一种能够改善在多个半导体存储器被用作存储设备的情况下的总体响应性的信息处理装置和信息处理方法。

根据本公开的一个实施例，提供了一种信息处理装置，包括：指派单元，该指派单元被配置为评估整体上构成一个存储设备的多个半导体存储器中的每一个的物理特性并且向多个半导体存储器的至少一部分指派与评估结果相对应的用途属性；以及判定单元，该判定单元被配置为对于数据的写入命令判定作为该数据的写入目的地的具有最优用途属性的半导体存储器。

在此实施例中，基于对整体上构成一个存储设备的多个半导体存储器中的每一个的物理特性的评估结果，指派单元向多个半导体存储器的至少一部分指派用途属性，并且判定单元判定对于数据的写入命令作为数据的写入目的地的具有最优用途属性的半导体存储器。也就是说，在此实施例中，在多个半导体存储器的物理特性中存在个体差异的情况下，判定单元以利用半导体存储器的物理特性的方式判定数据的写入目的地。从而，在多个半导体存储器被用作存储设备的情况下，预期改善存储设备的总体响应性。

根据此实施例的信息处理装置还可包括处理单元。处理单元可对数据执行预定的运算处理并且向经历了运算处理的数据的写入命令添加属性指定标志。判定单元可从处理单元接收写入命令并且基于添加到写入命令的属性指定标志来判定具有最优用途属性的半导体存储器。

具体而言，处理单元判定经历了运算处理的数据属于例如以下数据之一：对于存储设备频繁重复读取和写入的数据；在一度(once)被写入后几乎没有被重写、而是被重复读取的数据；以及通过重写多次重复更新的数据，并且处理单元向写入命令添加与该结果相对应的属性指定标志。从而，在多个半导体存储器的物理特性存在个体差异的情况下，判定单元能够以利用每个半导体存储器的物理特性的方式适当地判定数据的写入目的地。