[发明专利]一种分布式综合孔径辐射计阵列成像方法及系统有效
| 申请号: | 201210344044.7 | 申请日: | 2012-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN102879781A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
| 发明(设计)人: | 胡飞;陈柯;贺锋;黄全亮;郭伟;易观理;魏文俊;赖利 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
| 主分类号: | G01S13/90 | 分类号: | G01S13/90 |
| 代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 朱仁玲 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 分布式 综合 孔径 辐射计 阵列 成像 方法 系统 | ||
1.一种分布式综合孔径微波辐射计阵列成像方法,其特征在于,包括下述步骤:
S1:采用b个子阵列组成天线阵列,接收目标场景的微波辐射热信号,得到Ni路模拟信号,进行AD转换后输出数字复信号xj(t),j=1,2......Ni,t为离散时间变量,Ni为子阵列i的通道数,1≤i≤b;b为大于等于2的正整数;
S2:在所述数字复信号xj(t)中选择子阵列i的任意两路xn(t)、xm(t),1≤n≤Ni,1≤m≤Ni,利用公式Vi=E[xn(t)xm(t)]计算各子阵列的可见度Vi;
S3:将各个子阵列的可见度Vi代入公式进行累加计算,得到分布式综合孔径微波辐射计阵列的整体可见度Vent;αi为子阵列i对应的加权系数;
S4:将所述整体可见度Vent进行G矩阵校正得到校正后的整体可见度V′ent;
S5:将校正后的整体可见度V′ent进行反演成像运算得到所述目标场景的亮温分布T。
2.如权利要求1所述的成像方法,其特征在于,各子阵列的阵列中心等距排布在同一直线上,子阵列之间的间距大于各子阵列的最长基线长度。
3.如权利要求1所述的成像方法,其特征在于,在步骤S5中将校正后的整体可见度V′ent通过傅里叶反变换T=IFFT(Vent)得到所述目标场景的亮温分布T。
4.如权利要求1所述的成像方法,其特征在于,在步骤S5中将校正后的整体可见度V′ent通过G矩阵反演运算T=G-1Vent得到所述目标场景的亮温分布T,G矩阵为所述分布式综合孔径微波辐射计阵列的冲击响应矩阵。
5.一种分布式综合孔径微波辐射计阵列成像系统,其特征在于,包括依次连接的天线阵列、相关处理模块、误差校正模块以及反演成像模块;所述天线阵列由多个子阵列排列组成;每一个子阵列包括多个天线、多个分别与所述天线连接的接收机以及一个与所述接收机均连接的子阵列预处理单元;
所述子阵列中天线和接收机用于接收目标场景的微波辐射热信号,子阵列预处理单元用于计算各子阵列的可见度;所述相关处理模块用于将各个子阵列的可见度进行累加计算得到整体可见度;所述误差校正模块用于将所述整体可见度进行矩阵校正得到校正后的整体可见度;所述反演成像模块用于将校正后的整体可见度进行反演成像运算得到所述目标场景的亮温分布。
6.如权利要求5所述的成像系统,其特征在于,各子阵列的阵列中心等距排布在同一直线上,子阵列之间的间距大于各子阵列的最长基线长度。
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