[发明专利]压控振荡器

权利要求书

1.一种压控振荡器(VCO)电路，包括：

第一晶体管；

第二晶体管；

第一谐振电路；

第二谐振电路；

第一电流路径；以及

第二电流路径，

其中

所述第一晶体管的漏极连接至所述第二晶体管的栅极以及所述第一谐振电路的第一端；

所述第一晶体管的源极连接至所述第一电流路径以及所述第二谐振电路的第一端；

所述第二晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的栅极以及所述第一谐振电路的第二端；以及

所述第二晶体管的源极连接至所述第二电流路径以及所述第二谐振电路的第二端。

2.根据权利要求1所述的VCO电路，进一步包括：

第三晶体管；以及

第四晶体管，

其中，

所述第三晶体管的漏极连接至所述第四晶体管的栅极以及所述第一谐振电路的所述第一端；以及

所述第四晶体管的漏极连接至所述第三晶体管的栅极以及所述第一谐振电路的所述第二端。

3.根据权利要求2所述的VCO电路，其中

所述第一晶体管和所述第二晶体管是N-型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，并且所述第三晶体管和所述第四晶体管是P-型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管；或者

所述第一晶体管和所述第二晶体管是PMOS晶体管，并且所述第三晶体管和所述第四晶体管是NMOS晶体管。

4.根据权利要求1所述的VCO电路，其中

所述第一电流路径和/或所述第二电流路径由晶体管或电流源形成。

5.根据权利要求1所述的VCO电路，其中

所述第二谐振电路被配置成在VCO电路的振荡频率处提供低阻抗，并且在所述VCO电路的低频、闪烁频率、和/或二次谐波频率处提供高阻抗；或者

所述第二谐振电路被配置成在所述VCO电路的振荡频率处用作电短路电路，并且在所述VCO电路的低频、闪烁频率、和/或二次谐波频率处用作电开路电路。

6.根据权利要求1所述的VCO电路，其中

所述第二谐振电路包括至少一个电容器件和至少一个电感器件；

所述至少一个电容器件的有效电容与所述至少一个电感器件的有效电感串联电连接；以及

如果ω_osc表示所述VCO电路的角振荡频率，Leff表示所述有效电感，并且Ceff表示所述有效电容，则所述第二谐振电路被配置成满足以下等式：

ωosc=1Leff·Ceff.]]>