[发明专利]一种微流控芯片的柔性磁动微混合方法与装置

权利要求书

1.一种微流控芯片的柔性磁动微混合装置，微流控芯片具有微混合器壁体（1），微混合器壁体（1）的整体结构由上基片（14）和下基片（13）封接而成，微混合器壁体（1）中有微通道（2）和混合室腔体（10），其特征是：混合室腔体（10）内的前后壁镶嵌有两片条形的柔性磁动搅拌子（3、4），微混合器壁体（1）下方是封闭微通道（2）和微混合室腔体（10）的封接盖片（9），封接盖片（9）下方固定连接有四个梯形推拔式电磁场发生器（5、6、7、8），第一、第三梯形推拔式磁场发生器（5、7）分布在第二柔性磁动搅拌子（4）的左右两侧，第二、第四梯形推拔式磁场发生器（6、8）分布在第一柔性磁动搅拌子（3）的左右两侧；上基片（14）和下基片（13）上均分别设有两个微矩形凹槽，两个柔性磁动搅拌子（3、4）一端的下半部分分别配合设置于下基片（13）上的两个微矩形凹槽中，两个柔性磁动搅拌子（3、4）一端的上半部分与上基片（14）上的两个微矩形凹槽对齐，且上半部分均露出下基片（13）外。

2.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的柔性磁动微混合装置，其特征是：梯形推拔式电磁场发生器（5）由梯形体铁心（11）和绕于梯形体铁心（11）上的线圈（12）组成；梯形体铁心（11）在距离微混合室腔体（10）较远处是长、宽均为1.5cm的矩形体，梯形体铁心（11）朝着混合室腔体（10）方向呈收缩状，且至混合室腔体（10）位置处是与混合室腔体（10）尺寸相当的矩形体。

3.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的柔性磁动微混合装置，其特征是：微混合室腔体（10）的高度为100μm、宽度为400μm，上基片（14）的底部的微通道（2）高度为100μm、宽度为200μm，下基片（13）的底部的微通道（2）高度为100μm、宽度为200μm，上基片（14）上的两个微矩形凹槽的槽宽为20μm，槽深为70μm，下基片（13）上的两个微矩形凹槽的槽宽为20μm，槽深为70μm；两个柔性磁动搅拌子（3、4）一端的上半部分露出下基片（13）的长度均为200μm。

4.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的柔性磁动微混合装置，其特征是：柔性磁动搅拌子（4）是扁平矩形体结构，厚度为20μm，高度为140μm。

5.一种如权利要求1所述一种微流控芯片的柔性磁动微混合装置的微混合方法，其其特征是：当有微流体通过微通道（2）流入混合室腔体（10）中时，位于对角的第一、第四梯形推拔式电磁场发生器（5、8）同时工作，第二、第三梯形推拔式电磁场发生器（6、7）不工作，第一柔性磁动搅拌子（3）受到第四梯形推拔式磁场发生器（8）的吸引发生形变运动的方向与第二柔性磁动搅拌子（4）受到第一梯形推拔式磁场发生器（5）的吸引发生形变运动的方向相反，使得微流体相向运动引起对流；当两个柔性磁动搅拌子（3、4）分别运动到各自的极限位置时，关闭第一、第四梯形推拔式磁场发生器（5、8），打开第二、第三梯形推拔式磁场发生器（6、7），两个柔性磁动搅拌子（3、4）发生恢复形变运动，微流体发生对流，再次促进混合；如此往复加剧混合。